Så resistansen över över Collector Emitter är alltså snudd på noll då transistorn har bottnat?prototypen skrev:Kollektorströmmen styrs först av basströmmen * HFE när sedan transistorn är bottnad Uce < 0,5 (eller vad det står i databladet) så kan ju inte kollektorströmmen öka mer och då är det lasten som bestämmer strömmen.
En transistor är som en kran, öppna lite och det kommer lite vatten öppna mer så kommer det mer när sedan röret före begränsar flödet så kvittar det om man öppnar 10 varv på kranen det blir inte bättre flöde men det tar en massa tid att vrida åt 10 varv för att börja begränsa.
Elektronik är som vattenrör.
Protte
Vilken av de två transistorerna är det jag ska ha?
-
prototypen
- Inlägg: 11107
- Blev medlem: 6 augusti 2006, 13:25:04
- Ort: umeå
Det är fel att prata om resistans på en vanlig BJT (bipolar junktion transistor), det är ett spänningsfall inom vissa gränser oberoende av strömmen.
En "vanlig" transistor, lågt belastad kan i praktiken ha ett Uce sat på 0,05 - 0,2 volt bottningsspänning.
En MOS transistor den har däremot en resistans som uppför sig enligt ohm:s lag.
ALLA komponenter har dessutom en serieresistans på alla anslutningar, mer eller mindre mätbar.
Protte
En "vanlig" transistor, lågt belastad kan i praktiken ha ett Uce sat på 0,05 - 0,2 volt bottningsspänning.
En MOS transistor den har däremot en resistans som uppför sig enligt ohm:s lag.
ALLA komponenter har dessutom en serieresistans på alla anslutningar, mer eller mindre mätbar.
Protte
