Nja, IGT är inte vilken gateström som helst, utan just "
Triggering gate current" som det står i Tabell 1 på framsidan.
Definitionen finns i följande dokument:
http://www.st.com/web/en/resource/techn ... 183570.pdf
och där skriver de om
\(I_{GT}\):
Triggering gate current
This is the current to apply between gate and cathode (or gate and electrode A1
for TRIAC) to turn-on the device. This parameter defines the sensitivity of the
component.
Det är en parameter med stor variation mellan exemplar och de anger en undre gräns (2,5 mA vid 25°C) och en övre gräns (50 mA vid 25°C). Man vet alltså att strömmen vid vilken triacen triggar ligger däremellan och kan utifrån detta konstruera en drivkrets som ger en gateström som överstiger vad de mest svårtriggade exemplaren kräver (50 mA) när man vill slå på och som understiger den vid vilken de mest lättriggade exemplaren skulle trigga vid (2,5 mA) om triacen skall vara avstängd.
Vid -40 grader C krävs ytterligare en faktor 2,25 högre gateström för att garantera triggning, enligt figur 7, och vid hög temperatur blir triacen mer lättriggad vilket gör att man måste ha hårdare krav på läckströmmar i drivaren än 2,5 mA.
Så för korrekt drivning över hela temperaturområdet behöver man en gateström på c:a 120 mA när triacen skall triggas och det får inte flyta mer än c:a 1 mA gateström när den inte skall göra det.
>> tillverkaren garanterar att inget triacexemplar triggar vid en gateström lägre än 2.5 mA
> Det är fel. Det gör de inte. De *kan* göra det, men det är inte garanterat.
Nej, nu är jag ganska säker på att du har misstolkat vad parametern avser. Se definitionen av
\(I_{GT}\), ej att förväxla med
\(I_{G}\). Om man tar en lite vanligare komponenttyp som liknelse, så har ju MOSFET:ar en
\(V_{GS(th)}\)-parameter specad till ett område på exempelvis 2 V min, 4 V max. Det betyder ju då på samma sätt som här att tillverkaren garanterar att alla exemplar leder mindre än den angivna läckströmmen vid 2 V och mer än den vid 4 V.
Det verkar finnas en del dokument på ST:s hemsida angående triactillämpningar om man tittar här:
http://www.st.com/stonline/stappl/resou ... assID=1221
och bland annat finns följande om snubbers som någon tidigare i tråden funderade på:
http://www.st.com/web/en/resource/techn ... 004096.pdf
ONsemi och NXP har också en del bra dokument om användningen av triacs (och andra kraftkomponenter):
http://www.nxp.com/documents/applicatio ... PPCHP6.pdf
edit: Försökte skriva lite klarare, men tror inte att jag lyckades... Men man kanske kan sammanfatta det som att det kan bli lite förvirrande i och med att många parametrar i tabellerna i IC-datablad anger områden för hur man skall använda någonting, t.ex. "Operating voltage range 5V - 15V", för att få korrekt funktion, medan det i det här fallet i tabellen "Electrical characteristics" rör sig om mätbara egenskaper, som exempelvis
\(I_{GT}\) som är den ström vid vilken triacen triggar. För diskreta komponenter är det vanligt att det nästan bara är den sortens parametrar som beskrivs, utöver Absolute Maximum Ratings som är områden man måste hålla sig inom (gärna med god marginal) för korrekt funktion och att komponenten inte skall ta skada.
Man skall alltså undvika området däremellan för där vet man inte riktigt vad som kommer att hända.
