Mosfet blir bränd ibland - 2N7002 n-channel

[fosfor]

Hej!

Jag har en mosfet som tidigare fungerat bra, men som nu ofta blir bränd.
Möjligtvis är det en från en annan tillverkare som kanske är inte riktigt lika tålig som den förra.
Men samma spec.

60V N-Channel SOT-23
Drain current 300mA
Total power dissipation 0.83W

Jag skulle vilja peta i en tåligare mosfet, vad bör jag tänka på?
Ska den kunna dra i sig högre ström (typ att jag tar en 500mA istället), eller bara tåla mer effekt i watt?

[Icecap]

"Samma spec."?
Är Rdson samma?

Jag hade vald en med lägre Rdson vid samma gate-spänning, det minskar effekten i transistorn.

Men vilka spänningar och strömmar rör det sig om? Och här menar jag även gaten (där strömmen ska vara noll...)

[fosfor]

OK! Hm..
Den är kopplad till ett stort batteri på 24V och minst 10-15 Ampere.
Håller på att försöka ta reda på mer exakta spec just nu.

Det är mellan Drain och Source det har poffat, rejält också. Rena lågan rakt ut.
Kan det ha blivit en spegelvänd komponent man fått mot tidigare batch?

[fosfor]

Vad gör Rds(on)?
Och bör man gå på Volt värdet eller Ohm värdet?

*ursäkta nybörjaren...*

[lillahuset]

Försök beskriva vad du försöker göra så slipper vi gissa och fråga så mycket.

Rds är resistansen mellan drain och source.
Du måste ta hänsyn till både Vds och Rds och dessutom Vgson.

[fosfor]

Först 24V+ sen en 1KV 1A recovery diode, riktad mot 24V+, sedan
denna transistor's Drain, en 2N7002 - 60V - 300mA - N-channel - Mosfet - i en SOT-23 kapsel.
Source går till jord. Gate går vidare till motstånd.

24+-----------|<-DIOD--------drain-|MOSFET|-Gate till 33K Resistor ------ source till------------------|GND|


Berätta supergärna hur Vgson, Rds och Vds agerar med varandra och vad det är till för med funktion i åtanke?
Problemet i mitt fall verkar vara att de i 90% av fallen blir brända, men några ligger precis på gränsen och klarar sig.
Så frågan är hur jag gör den lite mer tålig. Jag antar att det är strömmen som dödar den, vad ska jag kika på för att
den ska bli mer strömtålig?

Tanken var att sätta dit en snarlik Mosfet men som har 500mA drain current istället för 300mA?

Jag har misstanke om att leverantören skickat fel då dessa alltid fungerat förut.
Att jag på nåt vis fått en klenare variant, men på vilket sätt spec-mässigt kan det ha brustit när det blir såhär?

[lillahuset]

Om du har köpt från en seriös leverantör är det nog inga fel på transistorerna.
Du kanske har förstört dem med statisk elektricitet?

Vds är max tillåten spänning mellan drain och source.
Id är max ström genom drain.
Rds är resistansen mellan drain och source.
Vgson är den spänning som behövs mellan gate och source för att transistorn ska vara "on" vilket är ganska difust.

För att transistorn ska hålla får varken Vds eller Id överskridas. Id*Id*Rds ger effektutvecklingen i transistorn som inte heller får vara för hög.

Ditt "kopplingsschema" är snudd på oläsligt och definitivt ofullständigt.

Titta lite i de här dokumenten:
https://media.digikey.com/pdf/Data%20Sh ... 2N7002.pdf
http://www.talkingelectronics.com/proje ... OSFET.html
https://www.ee.iitb.ac.in/course/~dghos ... Slides.pdf
https://www.electronics-tutorials.ws/tr ... ran_6.html

[Icecap]

Men herregud....

* Matningsspänningen anges - OK.
* Kopplingen... har ingen funktion, alltså fattas det mycket.
* Vgs anges inte - fastän den är mycket viktig.

Gör om - gör rätt!

[arvidb]

Om du kör 10-15 A genom en transistor specad för 300 mA så bör ju resultatet bli en eldslåga, ja. Men å andra sidan så kommer det inte att gå någon ström alls genom kretsen så som du har ritat den, eftersom dioden sitter som den gör.

Kanske fixa ett korrekt schema först och främst?

[fosfor]

Hoy allihop.

Ledsen för den risiga beskrivningen.
Det var ett kort jag själv inte ens fått veta exakt vad det gör som var tvunget att lagas, och inte heller har ett ordentligt schema på.
Därav att jag försökte luska fram eventuell orsak till att transistorn brann, lite av ett long shot.

Efter en del om och men upptäckte jag att de två närmsta motstånden i anslutning till transistorn var
33 ohm och inte 33k ohm som det tydligen ska vara. Ett fel från kretskortstillverkaren.

Tidigare kort har haft rätt motstånd, och de har inte smällt.
Om några dagar kommer det nya kort, får se hur de beter sig.

[Jan Almqvist]

Man kan väl anta att dioden är en släckdiod som ligger parallellt med någon induktiv last t.ex. en reläspole eller en magnetventil?

[fosfor]

Du antar rätt bra Jan Almqvist

Visade sig att den del som strular, transistorn och den 1kv dioden, är kopplade till ventiler.
Som har någon form av spole i sig för av och på.

[adent]

Nu har du förstås redan hittat felet, men en liten förklaring:

Rds(on) är ett bra värde att kolla på mosfet:ar.

När en mosfet är på (leder) så vore förstås det allra bästa om drain och source vore helt ihopkopplade i detta läge.
D.v.s. 0 ohm.

Även om du kör 100A genom mosfet:en så skulle effektutvecklingen i själva mosfeten vara 100A*0V = 0W.

Alla mosfet:ar har ett Rds(on) tyvärr och det kan variera kraftigt. Från 0,005 ohm till 60ohm. (tumme pekfingar, kan säkert skilja mer åt bägge håll)

Två exempel:

Då kan vi räkna ut effektutvecklingen i själva mosfet:en vid en given ström. T.ex. 10A.

10A*0,005 ohm = 0,05V. 0,05V*10A = 0,5W

10A*5ohm = 50V. 50V*10A = 500W

Det säger sig självt att en mosfet med Rds(on) på 5ohm är helt oanvändbar vid exempelströmmen.

MVH: Mikael