Hej!
Jag söker en lösning på ett problem där en mycket liten fotocell levererar ca 1 V men med väldigt liten ström (endast några microampere).
Denna ström laddar över tid en liten kondensator till 1V.
Jag vill "dumpa" denna kondensator till en liten step-up transformator då spänningen överstiger ett tröskelvärde, säg 800mV.
En DIAC har de egenskaper jag letar efter - låg läckström, bryter ner vid en viss spänning och fortsätter sedan leda tills att strömmen faller till ett tröskelvärde.
Problemet är ju att de DIAC som finns att tillgå har alldeles för höga trig-spänningar.
En spark-gap skulle också fungera, men har precis samma problem.
Det finns ingen extern strömförsörjning så en aktiv lösning är svår, såvida den inte klarar sig på ett par hundra picoampere.
Jag har inte heller lyckats hitta en energy harvesting lösning som klarar av så låga strömmar.
Några förslag på komponent(typ)?
Vänligen, Davey
Söker DIAC/spark-gap ekvivalent, med låg trig-spänning
Re: Söker DIAC/spark-gap ekvivalent, med låg trig-spänning
Kanske en unijunction-transistor skulle fungera.
Re: Söker DIAC/spark-gap ekvivalent, med låg trig-spänning
Det Du vill åstadkomma låter helt enkelt omöjligt. 200pA vid 0.8V kräver en resistans på 4Gohm. Har Du ens en konding med denna isolation som kan lagra en energimängd som förmår driva något?
Re: Söker DIAC/spark-gap ekvivalent, med låg trig-spänning
200uA, inte pA.
En UJT måste väl ha en drivspänning som överstiger tillslagsspänningen? Jag måste erkänna att jag inte känner till just denna komponenten så bra.
Kopplar du två småsignal-transistorer i SCR-koppling kanske du får det du behöver. Om tröskelspänningen blir för hög (2*Vbe), byt ut en eller båda med en germanium-transistor.
Edit: nä, den blir väl bara 1*Vbe?
En UJT måste väl ha en drivspänning som överstiger tillslagsspänningen? Jag måste erkänna att jag inte känner till just denna komponenten så bra.
Kopplar du två småsignal-transistorer i SCR-koppling kanske du får det du behöver. Om tröskelspänningen blir för hög (2*Vbe), byt ut en eller båda med en germanium-transistor.
Edit: nä, den blir väl bara 1*Vbe?