Vad är skillnad mellan NAND-flash och vanliga flashminnen?
Vad är skillnad mellan NAND-flash och vanliga flashminnen?
Kollade lite på ELFAoch NAND-flashminnen är ungefär hälften så dyra som vanliga flashminnen. Enda skillnaden som jag ser är att NAND-minnen saknar bootsektor. Är det någon mer skillnad?
NAND-flash är uppbyggd på ett annat sätt så at cellerna blir mindre, det är stor skillnad i den "inre" teknik men utåt sett är det lika. Det kan skilja på access-tid, strömförbruk, antal omprogrammeringer som de klarar så det är MÅNGA faktorer som skiljer dom.
Men funktionsmässigt är de ganska lika för den vanlig användaren.
Men funktionsmässigt är de ganska lika för den vanlig användaren.
Dom använder NAND grindar i stället för.. hmm XOR tror jag man brukar använda, de gör att man får in nästan dubbelt så många celler på ytan... för mig att NAND grindarna gör de möjligt att ha två celler per grind i stället för två grindar per cell...
För mig att de behövs en speciel process för att göra NAND flash, men när man väl har processen är de mycket biligare...
Jag känner överhuvudtaget inte till någon prestanda skilnad
För mig att de behövs en speciel process för att göra NAND flash, men när man väl har processen är de mycket biligare...
Jag känner överhuvudtaget inte till någon prestanda skilnad
matsv201: näää, där har du fel.
Det är sättet som lagringsmatrisen är uppbyggd på som påminner mer om NAND i stället för den "normala" tekniken som påminner om en OR. Skillnaden består av sättet som datan hämtas på, med OR-tekniken läsas varje kolumn ut och OR'as med de andra kolumner och med NAND-tekniken NAND'as de ihop.
Resultatet är likaväl att det kan byggas minnesceller med färre transistorer per cell vilket ger mindre "minnescell med tillbehör" vilket ger mindre kiselarea för en given minnesstorlek vilker ger lägre pris.
Men för användaren är det sak samma, funktionen är lika.
Det är sättet som lagringsmatrisen är uppbyggd på som påminner mer om NAND i stället för den "normala" tekniken som påminner om en OR. Skillnaden består av sättet som datan hämtas på, med OR-tekniken läsas varje kolumn ut och OR'as med de andra kolumner och med NAND-tekniken NAND'as de ihop.
Resultatet är likaväl att det kan byggas minnesceller med färre transistorer per cell vilket ger mindre "minnescell med tillbehör" vilket ger mindre kiselarea för en given minnesstorlek vilker ger lägre pris.
Men för användaren är det sak samma, funktionen är lika.
SRAM betyder "Static RAM" och varje minnescell är uppbyggd av en bistabil multivibrator. DRAM är kondinger som ska återladdas regeltbundet (ms-storleken).
Anledninget till DRAM är att en konding är mycket mindre än en bistabil multivibrator, därmed kan man packa in mycket mer minne i samma kiselarea = högre vinst.
Sen är accesstiden och annat lite besvärligt men det finns lösninger för det meste.
Anledninget till DRAM är att en konding är mycket mindre än en bistabil multivibrator, därmed kan man packa in mycket mer minne i samma kiselarea = högre vinst.
Sen är accesstiden och annat lite besvärligt men det finns lösninger för det meste.
Dvs, SRAM bygger på grindlogik och DRAM på kondingar?
Men vad är då skillnaden mellan SRAM och FLASH?
RAM tappar ju datat när spänningen försvinner, det gör inte FLASH-minnen.
Men det finns RAM-minnen med inbyggt backuppbatteri som då klarar sig utan spännig.
Så vad är det för skillnad? Nån som vet?
Men vad är då skillnaden mellan SRAM och FLASH?
RAM tappar ju datat när spänningen försvinner, det gör inte FLASH-minnen.
Men det finns RAM-minnen med inbyggt backuppbatteri som då klarar sig utan spännig.
Så vad är det för skillnad? Nån som vet?
Men....alltså....om de RAM med inbyggd batteri klarar sig utan ström....varför fan har de då inbyggd batteri????
Grejen är att en flash (och EEPROM) har ett begränsat antal skriv/radera cykler, ett bra EEPROM har 10^6-10^7 och en vanlig flash har ca: 10K-100K medan ett RAM har ∞.
Därför använder man RAM med batteribackup vid grejor där vissa data som ska sparas skrivs ofta.
Grejen är att en flash (och EEPROM) har ett begränsat antal skriv/radera cykler, ett bra EEPROM har 10^6-10^7 och en vanlig flash har ca: 10K-100K medan ett RAM har ∞.
Därför använder man RAM med batteribackup vid grejor där vissa data som ska sparas skrivs ofta.
Flashminnen bygger faktiskt på kvantfysik - nämligen tunnling av elektroner till och från en isolerad "extra-gate" på en transistor.
Denna Wikisida kanske är ett bra ställe att starta om man vill veta mer:
http://en.wikipedia.org/wiki/Flash_memory
Arvid
Denna Wikisida kanske är ett bra ställe att starta om man vill veta mer:
http://en.wikipedia.org/wiki/Flash_memory
Arvid
