Hej!
Nu sitter jag här med en fråga på transistor trots att jag trodde jag hade koll på transistorn...
Nåväl, på vissa datablad för transistorer står det ett min värde och ett max värde för förstärkningen, vad beror detta på?
Ett exempel:
https://www1.elfa.se/data1/wwwroot/asse ... 103609.pdf
Att det är olika för olika transistorer kan man ju givetvis tänka sig men varför är det inom ett visst intervall? Är det så att dom kan ligga var som helst inom intervallet och man får mäta detta själv?
/Anton
Förstärkning på transistor
Re: Förstärkning på transistor
Dels kan det variera en del mellan olika transistorer av samma modell (processvariationer i tillverkningen),
dels varierar det med kollektorströmmen och temperaturen (kolla graferna i databladet du länkade till).
Det är därför man ser till att aldrig designa en krets runt en transistor så att den blir beroende av transistorns exakta förstärkning, utan istället designar den så att den blir beroende av mer lättkontrollerade parametrar hos kringkomponenterna, t ex resistans i motstånd.
dels varierar det med kollektorströmmen och temperaturen (kolla graferna i databladet du länkade till).
Det är därför man ser till att aldrig designa en krets runt en transistor så att den blir beroende av transistorns exakta förstärkning, utan istället designar den så att den blir beroende av mer lättkontrollerade parametrar hos kringkomponenterna, t ex resistans i motstånd.
Re: Förstärkning på transistor
Kikade lite på BC337-16, -25, -40 datablad
https://www1.elfa.se/data1/wwwroot/asse ... 338_en.pdf
En fundering jag har:
Är det olika batcher som ger de olika hfe för de olika typerna (-16, -25, -40) eller dopar man olika för att få de olika typerna? Det är ganska stor spridning på hfe 100-630. Det är även ganska stor spridning inom en grupp.
Mäter man alla trissorna i en batch eller tar man ut ett antal och gör en statisk analys? Kommer trissorna i bulk är det nog svårt att mäta alla.
https://www1.elfa.se/data1/wwwroot/asse ... 338_en.pdf
En fundering jag har:
Är det olika batcher som ger de olika hfe för de olika typerna (-16, -25, -40) eller dopar man olika för att få de olika typerna? Det är ganska stor spridning på hfe 100-630. Det är även ganska stor spridning inom en grupp.
Mäter man alla trissorna i en batch eller tar man ut ett antal och gör en statisk analys? Kommer trissorna i bulk är det nog svårt att mäta alla.
Re: Förstärkning på transistor
Att påpeka också är att dopningen varierar längs en kiselskiva. I en integrerad krets kan man styra förstärkningen ganska bra men då ligger transistorerna väldigt nära varandra.
Sedan skulle jag gissa på att diskreta transistorer tillverkas i mycket enklare fabriker jämfört med moderna integrerade kretsar. Detta kan ju också motivera varför dopning längs en och mellan olika kiselskivor varierar.
Ytterligare har längd och bredd stor betydelse och hur precisionen är här vet jag inte. Det skulle inte förvåna mig om metoderna vid tillverkning är betydligt enklare än de som man läst om i litteraturen för hightech integrerade kretsar.
I vilket fall som helst kan transistorn ha parametrar inom hela angivna intervallen.
Sedan skulle jag gissa på att diskreta transistorer tillverkas i mycket enklare fabriker jämfört med moderna integrerade kretsar. Detta kan ju också motivera varför dopning längs en och mellan olika kiselskivor varierar.
Ytterligare har längd och bredd stor betydelse och hur precisionen är här vet jag inte. Det skulle inte förvåna mig om metoderna vid tillverkning är betydligt enklare än de som man läst om i litteraturen för hightech integrerade kretsar.
I vilket fall som helst kan transistorn ha parametrar inom hela angivna intervallen.
Senast redigerad av psynoise 15 mars 2012, 11:17:40, redigerad totalt 1 gång.
Re: Förstärkning på transistor
Jag tror att man försöker få till samma dopningsnivå på alla transistorer och att det bara är variation mellan olika batcher (eller olika individer) som ger skillnaden i hfe. Småsignaltransistorer känns knappast som nåt man använder sin modernaste produktionsline till, snarare nåt som man använder som utfyllnadsproduktion på nån gammal line.
Gissningsvis försöker man väl få så hög hfe som möjligt men anstränger inte ihjäl sig för att optimera processen då den ekonomiska vinsten inte lär vara särskillt stor.
Karakteriseringen / mätningen av transistorerna görs säkerligen direkt på wafern innan man delar den och börjar inkapslingsprocessen.
Gissningsvis försöker man väl få så hög hfe som möjligt men anstränger inte ihjäl sig för att optimera processen då den ekonomiska vinsten inte lär vara särskillt stor.
Karakteriseringen / mätningen av transistorerna görs säkerligen direkt på wafern innan man delar den och börjar inkapslingsprocessen.
Re: Förstärkning på transistor
Det finns väl en anledning att många produkter
med elektronik i avslutar sin färd genom
monteringen i en testfixtur.
Det måste vara lite annorlunda att vara konstruktör av serietillverkade
pryttlar gentemot hemma-byggda där man kan mäta varje komponent
och välja värden därefter och då även få saker och ting mer optimerat.
med elektronik i avslutar sin färd genom
monteringen i en testfixtur.
Det måste vara lite annorlunda att vara konstruktör av serietillverkade
pryttlar gentemot hemma-byggda där man kan mäta varje komponent
och välja värden därefter och då även få saker och ting mer optimerat.
