CE förstärkare vid dubbelmatning, nybörjarfråga

[Korken]

Godagens!

Jag är nybörjare inom förstärkarvärlden och har en fundering jag inte riktigt kommer på.
Jag försöker göra en CE förstärkare, men är osäker på hur jag ska välja resistorvärden för att jag ska kunna svänga från +V till -V.
Dvs, hur ska jag "bias sätta" den? Jag tycker att jag borde "bias sätta" Vout till 0V för att få den att svänga hela vägen, men det tycks inte riktigt fungera för mig. Den klipper de negativa halvvågorna för någon anledning jag inte kan förstå.
Finns den någon bra tumregel för hur man ska tänka?

Hoppas att någon vänlig själ kan peka denna nybörjare i rätt riktning!

ce_amp.png

[psynoise]

För att få maximalt utgångssving bör du sätta Vout eller Vc till 0 V. Någon spänningsdelning till Vb (basspäningen vid vila) behöver du inte vid dubbelmatning.

[psynoise]

Läst ditt inlägg lite för snabbt innan.

För att sätta Vout till 0 V i vila räknar du ut vilken ström du vill ha genom Rc alternativt vilket värde Rc ska ha. Halva matningsspäningen ska finnas över Rc då Vout ligger på 0 V.

[Fransson]

Glöm inte spänningsfallet över Re.
Du måste kompensera för det genom att höja DC-vilospänningen vid Vout med ½VRe.

[blueint]

Man måste väl ta hänsyn till transistorns eget spänningsfall på ca 0,7V ..?

[psynoise]

Fast det är spänningen mellan kollektor och emitter Vce som vi är intresserade av. Sedan behöver man kanske inte räkna på Vce direkt utan spänningen över Rc som jag föreslog.

Boken Microelectronic Circuits av Sedra, A. S. and Smith, K. C. innehåller alla svar på frågorna i denna tråd .

[Fransson]

Mja...

Uce vid bottning är ju mindre (ca: 0,2V) än Ube (0,7V).
Men ska man var pillig ska man räkna med den med.

Edit: psynoise slank emellan fast han inte syntes vid förhandsgranskning...

[Korken]

Tackar tackar!
Då va det som jag trodde. Ska arbeta lite mer och se om jag får det att fungera som det ska.

psynoise:
Den boken har jag. Det är min kurslitteratur i min kurs.
Dock jag har inte hittat något exempel som kör på dubbelmatning, därav min fråga. :/

Men ska jaga på detta igen! Tack så mycket!

[ie]

Det är väl ingen skillnad på enkel eller dubbelmatning, förutom att Vo blir V+/2 i st f 0V.

[kimmen]

C6 kan anslutas mellan emitter och jord i stället för den negativa matningen för att få undertryckning av störningar på den negativa matningsspänningen. Annars förstärks de med hela förstärkarens förstärkning.

[Korken]

kimmen:
Tackar, hade dragit den fel i förra schemat.


Nu har jag nästan fått den att fungera som jag vill.
Det problem jag har är att den inte tycks vara jordad småsignalmässigt, för spänningen över Re sätter stopp på den negativa svängningen.
Hur ska jag motverka detta? För jag vill ju ha ett så stort sving som möjligt.
Jag har lärt mig att Re är väldigt viktig för stabiliteten, så ska jag bara göra den liten så jag inte kan få så stort fall över den eller finns det något annat sätt?

ce_amp.png

ce_amp_plot.png

[Fransson]

När jag läste detta i gymnasiet var tipset att dimensionera Re för ett spänningsfall på ca: 1V.
Resten ska fördelas med hälften över transistorn och andra hälften över Rc.

URc=35V-½URe=35V-0,5V=34,5V

Ic=Urc/Rc=34,5/3300=0,01045455A~10,5mA

Ie~Ic(om Ib<<Ic)

Re=Ure/Ie=1V/0,01045455A=95,6525897ohm~100ohm eller något mindre. Väljs ganska mycket på känn, då exakt värde inte är särskilt kritiskt.

[psynoise]

psynoise:
Den boken har jag. Det är min kurslitteratur i min kurs.
Dock jag har inte hittat något exempel som kör på dubbelmatning, därav min fråga. :/

Om du har en nyare utgåva 4:e eller senare finns det inte särskilt mycket kopplingar med bipolartransistorer. Kolla istället avsnitten med mos-transistorer som är mer utförliga. Samma principer borde gälla när man sätter arbetsområdet med skillnaden att det är enklare att så bipolara som strömstyrda istället för spänningsstyrda.

[Korken]

Fransson & psynoise:
Tack så mycket, nu är jag riktigt nära det jag ville komma till!

Så en sista fråga, nu får jag ut rätt förstärkning och stort sving som jag vill. Men, för någon anledning så blir kurvan bredare på positiv halvvåg och smalare på negativ.
Blir det såhär pga transistorn, eller något som jag har designat fel?

(Röd är in signal och grön är ut)

ce_amp_plot.png

ce_amp.png

[ie]

Jag tycker kopplingen ser konstig ut med RB1 till Gnd. Borde vara till V+. Nu ser motståndsvärderna konstiga ut på RB1 och RB2 men om det är Ohm så får du en ingångsimpedans som är betydligt lägre än signalkällans utgångsimpedans vilket påverkar signalen.

Som jag skrev i tidigare inlägg tycker jag att du ska dimensionera som ett unipolärt steg. Med en konding på utgången gör det ingen skillnad i alla fall.