När generatorn inte laddar skall dessa vara skiljda åt och när ganaratorn laddar sammankopplade.
Jag har tidigare byggt en enkel krets som styr ett 12V relä. Generatorns utgång D+ (laddningslampan) går via ett motstånd till basen på en NPN-transistor.
När generatorn börjar ladda går D+ från 0V till 12-14,4V och reläet slår till.
När jag valde transistor utgick jag från mätningar som visade att relä-spolen drog ca 0,15A.
Jag behövde en transistor som tålde 200 - 300 mA.
Har några MJE3429 som skräpar och borde fungera.
Vilket basmotstånd ska användas?
Relä-spolen har en resistans på ca 100 ohm.
Strömmen genom relä-spolen och därmed collector-ström (Ic) ca 150mA.
Reläet slår till vid ca 8V men behöver väl 10V för att vara stabilt.
I mina försök att förstå databladet så tittade jag på "ON CHARACTERISTICS" och resonerade:
Vce(sat)=0.5V vilket gott och väl finns vid 14V över spole & trans.
Vbe(sat)=1.3V inte heller något problem eftersom 14V finns över Rb och trans.
I databladet står ( ... Ib=4.0mAdc ) Denna uppgift tolkade jag kunna ge ett lämpligt värde på Rb med formeln
Kod: Markera allt
Vcc - Vbe (sat)
Rb = -----------------
Ib(sat)
Detta har byggt & testat och det fungerar.
Men på senare tid har jag hört att det finns något som heter BIASING (vet inte vad det heter på svenska).
Nu försöker jag förstå hur man gör biasing. Ger en korrekt biasing ett annat värde på Rb?
Jag hittade ingen graf som visar Vce / Ic för olika Ib så jag använde min krets och gjorde följande graf.
Man ska hålla sig i aktiv region dvs Ic mellan 500uA - 300mA, Vce mellan 0.5V - 350V.
Vce=0.5V är mättnadsspänningen vid Ib=4mA.
Jag vet inte om jag gjort rätt men 3 st "Load Line" är ritade 12V, 14V resp 15V.
De skär y-axeln vid den ström som går genom spolens 100 ohm.
Kanske man ska ta bort spänningen över collector-emitter och få ett något lägre värde?
Min tolkning av detta är att Ib=4mA inte är optimalt. Strömmen Ic som är mellan 120 - 150mA (ev lägre) gör man inte uppnår mättnad (saturation).
Är detta korrekt?
Hur viktigt är det med mättnad?
För mig ser det bättre ut med Ib= 2 eller 3mA.
Hur tolkar man Vbe(sat) är 1.3V ?
En gissning är att man ska räkna med att 1.3V behövs mellan bas och emitter för att transistorn ska komma in i aktiv region.
Då skulle 14.4-1.3=13.1V finnas över Rb och om vi önskar Ib=3mA får vi 4.4kohm.
Med 4.4kohm och 13V blir Ib=2.7mA och vid 12V Ib=2.4mA vilket oxå ser OK ut i grafen.
