och testade med ett tänkt ingångsteg till en mottagare för 100MHz.
Tanken är att en 75ohms dipol fungerar som antenn och alltså utgör generatorns impedans.
En praktisk spole på 80nH kan man linda utifrån tex ett diagram i ARRL handbook. Det blir
en liten spole med en diameter på 1/2 tum och 2 varv, ej tätlindad.
Om man tänker sig en FET som första förstärkare med en ingångsimpedans på 100k (jag har inte gjort
någon speciell analys av vad den kan tänkas ha för mer exakt ingångsimpedans).
33pF i parallell med 80nH ger ca 100MHz resonasfrekvens.
Så först analyserar jag med ideala komponenter. A
Det hela blir inte speciellt selektivt då toppen är väldigt bred, alltså lågt Q hos kretsen.
Med antagandet att kondensatorn har 3mm komponentben och resistorn har förluster så analyserar
jag kretsen utifrån det. B
Det visar sig att i princip endast resonansfrekvensen ändras en aning.
Sedan använder jag tricket med impedanstranformering genom att dela upp kondensator i 2 seriekopplade och
mata signalen mitt emellan. Detta gör att resonanskretsen inte belastas lika hårt och Q-värdet stiger.
i stället för 75 ohm ser resonanskretsen nu 734 ohm.
Med simulerade verkliga komponenter fås att resonansfrekvensen sjunker betydligt.
En lösning på att få induktansen hos komponentbenen att minska är att koppla kondensatorer i parallell
(parallellkoppling av spolar ger lägre induktans). Och i kombination med att kapacitansvärdena är mindre ( jag
använder standardvärden) så ökar resonansfrekvensen till ganska nära 100MHz.
Detta vore givetvis intressant att koppla upp men jag får vänta tills jag är lite mer påläst om FET.
