Transistorswitch för att styra nixerör, värde på motstånd

Elektronikrelaterade (på komponentnivå) frågor och funderingar.
F36T8
Inlägg: 3
Blev medlem: 23 augusti 2009, 19:04:04

Transistorswitch för att styra nixerör, värde på motstånd

Inlägg av F36T8 »

Om jag har följande krets:

Bild

Utgången är kopplad till anoden på nixieröret. Jag har en till transistorswitch på katoderna, men måste kunna styra över anoden med.

Min fråga är: Vilka värde ska transistorerna R1 och R2 ha om spänningen är cirka 220 V och det ska styras från en µc med 0-5 V?

Transistorerna är enligt bilden MPSA42 och MPSA92

Jag förstår att R1 ska vara något relativt högt, den ska väl bara hålla transistorn stängd, och att R2 ska begränsa strömmen till något lämpligt värde.
Det är den där Vebo jag inte förstår.. Vebo får vara max 5 V för MPSA92, som på de flesta transistorer, men vad har det för betydelse i den här kretsen? Den går väl att bygga?
Pucco
Inlägg: 911
Blev medlem: 11 december 2006, 14:48:08
Ort: Linköping

Re: Transistorswitch för att styra nixerör, värde på motstånd

Inlägg av Pucco »

R1 har två funktioner.

Garantera att basen inte flyter vilket kan ge genombrott E till C.

Vid snabba switchningar måste laddningen i bas-emitterövergången och capacitansen i bas-kollektor laddas ur.
Ju snabbare man vill switcha desto mindre måste R1 vara.



R2 väljs typisk enligt databladet för att ge 1/10 ström i basen mot strömmen i kollektorn för att transistorn ska bottna ordentligt.


Vbeo är genombrottsspänningen med bas-emitterdioden backspännd. I den här kopplingen är den alltid framspännd och blir irrelevant.
Användarvisningsbild
prototypen
Inlägg: 11108
Blev medlem: 6 augusti 2006, 13:25:04
Ort: umeå

Re: Transistorswitch för att styra nixerör, värde på motstånd

Inlägg av prototypen »

Vebo är vad bas-emitterövergången klarar i backriktningen och det är inget du behöver oroa dig över i denna kopplingen, du kommer aldrig längre än till noll.

Sedan tycker jag Pucco var i grinigaste laget om HFE (vid beräkning av R2), transistorn (NS datablad) har minst 50ggr i HFE vid -40 garder (och de strömmar ett Nixie drar) så om man räknar på 1/25 del så räcker det.

R1 ska klara av att "dränera" läckströmmen i MPSA 42 som är 100nA vilket skulle ge 10 MΩ vilket är uppåt väggarna men 10 -100 kΩ är väl vettigt så klarar man att snabbt dra ur laddningen i MPSA 92 basen.

Strömmen genom R2 är 1/25 del vad nixie behöver, ger en säkerhetsfaktor på 2 vid -40 grader och är det för lite så blir transistorn varm och då ökar HFE så blir den kallare.

R3 tas från min erfarenhet 10-100KΩ

Protte
F36T8
Inlägg: 3
Blev medlem: 23 augusti 2009, 19:04:04

Re: Transistorswitch för att styra nixerör, värde på motstånd

Inlägg av F36T8 »

Jag tror jag förstår nu, tack så mycket för hjälpen.
Skriv svar