Bootstrap

danei · Inlägg av **danei** » 13 november 2007, 11:04:34

Är det någon som vet var man hittar en bra förklaring på bootstrap? Det handlar om en IGBT driver.

Mindmapper · Inlägg av **Mindmapper** » 13 november 2007, 12:20:16

Bra och bra, men en förklaring i varje fall. se sidan 10 - 11.
http://www.onsemi.com/pub/Collateral/MC33153-D.PDF

badtastex · Inlägg av **badtastex** » 13 november 2007, 12:28:45

Rätt så bra förklaring, om IGBT iaf, på wikipedia.

danei · Inlägg av **danei** » 13 november 2007, 12:45:36

IGBT:n var inte problemet. Det var bara för att förklara vad jag var ute efter. Ska kolla länken.

EDIT:
Mindmapper: jag hittar inget matnyttigt där. Jag får leta vidare.

blueint · Inlägg av **blueint** » 13 november 2007, 13:01:15

Mindmapper skrev:Bra och bra, men en förklaring i varje fall. se sidan 10 - 11.
http://www.onsemi.com/pub/Collateral/MC33153-D.PDF

Page9
"UNDERVOLTAGE LOCKOUT"
".. linear region and quickly overheat. Many PWM motor drives use a bootstrap supply for the upper gate drive. The UVLO provides protection for the IGBT in case the bootstrap capacitor discharges. .."
(UVLO = UnderVoltage LockOut)

Page 11
".. A bootstrap diode may be used for a floating supply. If the protection features are not required, then both the Fault Blanking/Desaturation and Current Sense Inputs should both be connected to the Kelvin Ground (Pin 2). .."

Blev inte direkt klar på vad som menas

peter555 · Inlägg av **peter555** » 13 november 2007, 13:08:47

IR har bra förklaringar i applikationerna till gatedriverkretsarna.

Icecap · Inlägg av **Icecap** » 13 november 2007, 13:33:54

Det kommer efter historierna om Baron von Münchausen, han hamnade ju i något kvicksand(?) och tog sig upp vid att lyfta sig upp i stövelstropperna (bootstrap).

Grejen är att en N-MOSFET/IGBT behöver en positiv source-gate spänning. Om man då vill spara lite pengar och enbart använder N-kanal MOSFET/IGBT (finns andra fördelar också) behövs det alltså en spänning som är högre än matningsspänningen (V+) för att få transistorn fullt ON och därmed minsta värme och andra förluster.

Någon klurade ut att om man monterar en kondensator mellan utgången och katoden på en diod och sedan monterar anoden till V+... då kommer spänningen på katoden att överstiga V+ när transistorn mellan V+ och utgången "lyfter" spänningen.

Då MOSFET/IGBT är spänningsstyrda drar de inte gateström (en sanning med modifikationer) vilket gör att man kan använda den laddning som finns i kondensatorn till att styra med.

Självklart kan kondensatorn inte hålla laddning i evighet, därför används denna koppling bara där det jämt finns ett kraftigt pulsande.

Detta att utgångstransistorn "lyfter sin egen styrspänning" är just "Bootstrap"-funktionen.

En boot-loader är i övrigt en förkortning av "bootstrap-loader" och det refererar fortfarande till Baron von Münchausen och de sagor som finns där.

danei · Inlägg av **danei** » 13 november 2007, 13:39:47

Är det den här du menar? http://www.irf.com/technical-info/appnotes/an-978.pdf

EDIT: Japp det var den. Kan rekomenderas

Icecap: Tack för beskrivningen. Det står inget om baronen i IRFs papper.

blueint · Inlägg av **blueint** » 13 november 2007, 14:18:08

Så kondensatorn laddas upp när drain får lägre nivå pga att mosfet'en leder. När den sedan släpper har man en laddning som inte kan gå tillbaks till V+. Så det slutar med matningsspänning (V+) i addition till Vkondensator. Om jag förstått det rätt.

BER · Inlägg av **BER** » 13 november 2007, 21:53:31

Jag tror jag lyckades så ett frö...

BER · Inlägg av **BER** » 13 november 2007, 22:18:30

... danei och jag hade en diskussion för någon/några veckor sedan. Efter att ha läst. http://www.irf.com/technical-info/appnotes/an-978.pdf har jag nu en klar bild hur det fungerar. 1-0 danei vs BER

jesse · Inlägg av **jesse** » 9 januari 2008, 13:28:18

Hej.
Jag har en fråga som handlar om "bootstrap" (jag trodde det var nåt som bögar hade när dom gick på fetisch-fest

)

hm.

Jag har läst en del löst här och där att det ska behövas en bootstrap-koppling för att få gaten att dra fullt (bottna) på en MOSFET-transistor, dvs. som det står i tidigare inlägg, en + spänning (på upp till 15 V) på gaten i förhållande till Source.

Men när jag kollar datablad på en typisk N-MOSFET (MTB75N05HD) så kallar dom MINUSSIDAN för SOURCE och PLUSSIDAN för Drain? ALltså att du lägger på en positiv spänning på drain via en last (motor) och kopplar source till minus (skulle man göra tvärt om så skulle backdioden kortsluta och ge ett spänningsfall i MOSFETEN på ca 0.6 volt.) Och enligt spec så måste spänningen på gaten vara +15 V i förhållande till source för att transistorns resistans ska bli tillräcklig låg.

Men SOURCE låg ju på 0 Volt och det är ju inget problem att maya gaten med den befintliga matningspänningen i så fall - och därmed behövs ingen "bootstrap" koppling.

Så varför håller folk på med bootstrap?
Har jag fattat allting fel , eller finns det olika sorts MOSFET:ar?

Den jag har datablad på är en självspärrande typ. dvs leder ingen ström vid U(gs)=0V.

danei · Inlägg av **danei** » 9 januari 2008, 13:34:57

Om du har en brygga så har du en transitor på den höga sidan också. Det är där du behöver en bootstap krets. På den låga är det som du säger inget problem.

jesse · Inlägg av **jesse** » 10 januari 2008, 18:01:47

Aha. Men jag trodde det räckte med en transistor i botten för att strypa strömmen som ska gå genom lasten. När finns det behov för två transistorer?

docksider · Inlägg av **docksider** » 10 januari 2008, 18:42:09

två transistorer behöver man inte i något tillfälle jag kan tänka på nu, men när man gör en H-brygga måste man ha 4st