EEPROM frågor

arte · Inlägg av **arte** » 28 oktober 2007, 15:59:43

Hej,

I PIC18F4550 finns det ett 256bytes stort EEPROM som man kan använda för att spara saker i.

Jag skriver till det väldigt sällan men kommer att läsa mycket oftare.
Har läst databladet men är lite oklar på två punkter:

1. Skriva till ett EEPROM är rätt slött (4ms i datablad) men läsa från det är väldigt snabbt?

2. Enligt data bladet så står det att efter ett visst antal (>milijoner) skrivningar så måste man göra en refresh. Gäller detta läsningar också?

Jag kommer aldrig komma upp i en milijon skrivningar men kanske en milijon läsningar.

arte · Inlägg av **arte** » 28 oktober 2007, 16:10:07

hittade svaren själv

1. En instruktion.

2. Gäller bara skrivningar.

Icecap · Inlägg av **Icecap** » 28 oktober 2007, 20:09:39

Och bara en förklaring till detta:
Minnescellen ska, vid en radering, "laddas om" och detta finns det ett kretslopp till men laddningen i minnescellerna blir sällan helt exakt, denna inexakthet ackumuleras för varje radering/programmering och till slut är laddningen i cellen så mycket fel att den någon gång läsas som fel värde pga. elektrisk brus och ett fel laddningsnivå.

Ofta laddas cellerna med en högre spänning vilket ger att det måste finnas en laddningspump och denna laddningspumps inexakta utspänning är anledningen till begränsade antal radering-programmering cykler, ju mer exakt den är ju fler cykler tål kretsen.

sodjan · Inlägg av **sodjan** » 28 oktober 2007, 21:27:43

> Och bara en förklaring till detta:

Det är inte helt tydligt vad "detta" syftar på, men orsaken till att
"refresh" behövs är att varje write till en EEPROM arean laddar ur
alla andra celler något lite. Efter ett visst antal skrivningar måste alla
celler skrivas om för att man inte ska riskera läsfel.

Det som Icecap beskriver gäller det antal skrivningar som varje
enskild cell "tål" innan den börjar bli otillförlitlig även direkt efter
en skrivnig. Men det är ett annat problem än det som "refresh" löser.