Det står klart och tydligt i databladet, current gain.
Gränsen för när transistorn har öppnat till 100% beror på hur hög ström du vill styra.
Ser du till att köra in en ström på 10mA genom B-E, så är det vidöppet för en ström genom C-E på 200mA, men inte för 1A. Då begränsar den strömmen och det blir ett högre spänningsfall över C-E.
Så det som behövs är en spänning in på basen relativt emitter som är högre än framspänningsfallet (hittar inte vad det är i databladet, men det krävs minst 1,5 V för att det ska hända något), OCH en ström på minst förbrukarens ström delat med hfe.
hfe sjunker med ökad ström genom C-E och sjunker under 10 redan vid 10A.
Enligt databladet behöver du skicka in minst 500mA genom B-E för att transistorn ska bottna för 8A.
Basströmmen blir då styrspänningen minus framspänningsfallet B-E, delat med ditt seriemotstånd till basen.
Kopplar du den som en emitterföljare (som i schemat) gäller samma sak. Spänningen över RE är VSTYR - VBE 2n3055 - VBE BD139 tills strömmen ICE 2n3055 går över IB x hfe då transistorn börjar begränsa.
Och frågan om vad som händer om du kopplar ihop rakt åt höger vid plus är att batteriet inte mår så bra.

Batterilöst så måste du då sätta ett motstånd mellan basen och potentiometern, annars brinner den upp när du rattar den närmare plus.
Och i så fall kan du inte ha en vanlig pot på 1k om du ska klara av 60V som på schemat. En billig standardpot som tål 250mW måste vara på 15k. Kanske funkar med 10k med en sån med metallhus?
