Jag hittade precis det här på diyaudio:psynoise skrev:Tittade på det igår kväll, dock tog det inte många minuter att inse att det inte var så enkelt. Resistansen Rds mellan drain och source är beroende av spänningen Vgs mellan gate och source, detta medför att Rds är beroende av inspänningen eller spänningen Vds mellan drain och source vilket gör hela kretsen olinjär.psynoise skrev:Man borde kunna bygga ihop en enkel brytare kring en FET-transistor, kan själv inte se varför man inte skulle lyckas att fixa en krets men tillräckligt låg distorsion.
Tyvärr klarar bara cmos-kretsarna 4016/4066 ±7,5 V, men har dessa några andra problem som man borde se upp med?
"On a related topic, have you tried discrete JFETs? I knocked together a sim using a PMBFJ176 and a PMBFJ112 back-to-back, and was very happy with the results. I found using N and P channel devices cancelled out much of the charge injection when switching, and reduced the distortion significantly.
I simulated a differential seven stage attenuator using no less than 21of these, and managed 0.0002% THD at 1KHz."
http://www.littlefishbicycles.com/misc/attenuator.gif (Bild på hans dämpare, länk pga. mer än 700px bred)
Att switcha med så låg THD på ett så enkelt sätt låter ju för bra för att vara sant. Simuleringar och verklighet hänger ju inte alltid ihop men det är ju klart intressant att titta närmare på eller vad säger ni?
