JimmyAndersson skrev:Sätt tillbaka 10k-motståndet.
Punkt A går till basen på en annan transistor (jag kallar den för T2).
+5V till ett annat 10k-motstånd och vidare till T2 collektorn.
GND till T2 emittern.
Den nya utgången blir på T2's collektor.
Jag skulle vända på steken såhär:
Välj en PNP-transistor istället för en NPN-transistor för T2. Basen på T2 till punkten A.
Välj "10k-motståndet"s värde så att det blir lagom mycket basström i T2 när T1 leder. Med 5V in, kanske 0,2V kollektor-emitterspänningsfall i T1 och 0,6V bas-emitterspänning i T2 blir det 5-0,2-0,6=4,2V över 470ohm-motståndet. Det ger en ström genom det motståndet på knappt 9mA. Om du vill ha t.ex. 1mA basström över T2 så behöver alltså ca 8mA brännas bort i "10k-motståndet", och det över ca 0,6V. Om jag räknar rätt så bör "10k-motståndet" vara på ca 75 ohm. Det är ett E24-standardvärde men det borde vara okej med 68 eller 82 ohm. OBS, 1mA basström "gissade" jag mig till här.
Jag skulle nog börjat med en trimpot på 100-200 ohm som "10k-motståndet" och provat vilket värde som ger bäst vågform ut från T2. Lämplig basström till T2 beror på hur mycket ström som ska gå genom T2.
T2's emitter till +5V, lämpligt motstånd från T2's kollektor till jord. Motståndet mellan kollektor och jord beror på vad som ska drivas, framförallt långa ledningar med hög kapacitans kräver ett relativt lågohmigt motstånd.
Denna krets blir inte superbra för gamla TTL-ingångar (eftersom de är sugna på att ha bra nollor men ettorna är inte lika känsliga) men borde funka fint att driva t.ex. CMOS-ingångar.
OBS, tänk på att om kretsen är tänkt att driva en indikerings-LED så kanske den avsiktligt pajar vågformen för att ge bättre ljusstyrka och mindre variationer beroende på hur datat ser ut, så att LED'en mer indikerar "signal eller inte signal". Fast det hade du kanske redan mätt upp och konstaterat att så inte är fallet?