Så, fick ju tag på några IGBT-moduler inklusive rejäla kylflänsar härom månaden, så tänkte filura runt lite..

Dave använder ju en liten mosfet för sin lilla dummy-load, tänkte att den verkade ju enkel nog i sitt utförande, men har stött på lite funderingar.
Som jag har förstått skall IGBT-er gå att använda i det linjära området likaväl som mosfets, men, då uppstår vissa små bekymmer..
Hittat ett "datablad" som tyvärr är på plingplongspråk...
http://www.datasheetarchive.com/MBN300A6-datasheet.html
Det är alltså en MBN300A6 modul jag har. Av databladet har jag förstått att modulen klarar 600V, +-20V mellan gate och emitter, 300A kollektorström, och en maximal effekt på 1200W, men här börjar mitt förstående sluta..
Vad betyder siffrorna längst till höger? Mer specifikt under Vge (off)?
Är en sådan här modul användbar som bas för en konstantströmslast? Hur stabil och bra skulle den vara vid lägre strömmar? (<<1 A)
Är medveten om att Gatespänningen måste vara högre än de ttl-kompatibla mosfets dave använde, men det borde väl gå att lösa genom att använda högre spänning till op-ampen?