Jag har 2 olika uppgifter vad gäller värdet
på brantheten, gm, för en bipolär transistor.
Ena boken säger gm = hfe/hie
och den andra säger Ic/VT.
hfe är h-parametern för AC och alltså inte hFE.
VT är 25mV vid 25grader Celsius.
Jag har ett GE-steg med Ic = 10.53mA
Jag har värden ur databladet som säger hfe=330 och hie=1300 => gm = 0.254
gm = 10.53mA/25mV = 0.421
Alltså 2 helt olika resultat. Nu är frågan, vilket är det mest riktiga?
Brantheten gm för en bipolär trissa?
Re: Brantheten gm för en bipolär trissa?
Jag tror jag löste problemet.
gm är enligt definitionen lika med delta(ic)/delta(ube) så jag anslöt en AC-strömkälla rakt in på basen
till den trissa jag använder i mina analyser. Sedan kollade jag hur mycket ic ändrar
sig när ube ändrar sig. Det hela gav ett resultat för gm på 0.284.
Alltså stämmer formeln gm = hfe/hie väldigt bra och även data i databladen.
Jag simulerade i LT-Spice med en BC547B-modell.
gm är enligt definitionen lika med delta(ic)/delta(ube) så jag anslöt en AC-strömkälla rakt in på basen
till den trissa jag använder i mina analyser. Sedan kollade jag hur mycket ic ändrar
sig när ube ändrar sig. Det hela gav ett resultat för gm på 0.284.
Alltså stämmer formeln gm = hfe/hie väldigt bra och även data i databladen.
Jag simulerade i LT-Spice med en BC547B-modell.
