Läs/skriv för ofta till DDR minne = minnet går sönder..!?

Elektronikrelaterade (på komponentnivå) frågor och funderingar.
blueint
Inlägg: 23238
Blev medlem: 4 juli 2006, 19:26:11
Kontakt:

Re: Läs/skriv för ofta till DDR minne = minnet går sönder..!?

Inlägg av blueint »

Iofs så är CPU:n mer märkes relaterad. Pentium FPU som t.ex inte kan dividera får en del uppmärksamhet. Medan DRAM kanske bara blir "funkar inte(tm)" - fixa ;)

CPU:erna består å andra sidan mest av transistorer. Medan DRAM ska lagra bitarna tätt och billigt så det lär vara olika förutsättningar.
TommyT
Inlägg: 60
Blev medlem: 4 januari 2010, 11:08:58

Re: Läs/skriv för ofta till DDR minne = minnet går sönder..!?

Inlägg av TommyT »

Jag drog bara en jämförelse på storleksminskningen i.o.m nya tillverkningsprocesser.

För den intresserade:

Pentium 3,100,000
Six-Core Core i7 1,170,000,000

Siffrorna anger antal transistorer. Och formfaktorn är i princip densamma om jag inte minns helt galet.
blueint
Inlägg: 23238
Blev medlem: 4 juli 2006, 19:26:11
Kontakt:

Re: Läs/skriv för ofta till DDR minne = minnet går sönder..!?

Inlägg av blueint »

Kanske man bör räkna bort dom transistorer som används för L1+L2 cache för att få en bra jämförelse?
Sedan är Intel kända för att lägga dit massa transistorer och klocka högt så det värmer gott men gör lite :D (med P4 som skräckexempel)

wikipedia.. ARM_architecture:
"The ARM2 was possibly the simplest useful 32-bit microprocessor in the world, with only 30 000 transistors (compare the transistor count with Motorola's six-year older 68000 model with around 70 000 transistors). Much of this simplicity comes from not having microcode (which represents about one-quarter to one-third of the 68000) and, like most CPUs of the day, not including any cache. This simplicity led to its low power usage, while performing better than the Intel 80286.[5] A successor, ARM3, was produced with a 4 KB cache, which further improved performance. .. ARM2 had 30 000 transistors, while the ARM6 grew to only 35 000."

Något för Intel/AMD att fundera djupt över.. :badgrin:

Apropå Intel/AMD så har jag vid flera tester sett hur Intel generellt sett brukar klara ca 33% bättre prestanda när man syntiserar FPGA binärer (kompilerar VHDL/Verilog -> .bit).
thebolt
Inlägg: 248
Blev medlem: 10 februari 2008, 17:41:40
Ort: Taipei Taiwan

Re: Läs/skriv för ofta till DDR minne = minnet går sönder..!?

Inlägg av thebolt »

Det som är intressant att jämföra när man pratar om att allt blir mindre är ju hur små är de minsta objekten på halvledaren.

Som Sodjan sa är det där i dagsläget så att det är minnena (framför allt flash faktiskt) som ligger i framkant om man tittar på ledar-avstånd, medan "transistor-baserade" saker ligger en bit efter.. ITRS09 lägger för 2010 metall-pitchen på 45nm för både DRAM och logik, medan floating-gate på flash redan är nere på 28nm. Å andra sidan har logik ännu kortare gates (nedåt 15nm) så svårt att säga vad som är minst.

Mycket IC-design, speciellt analog (vilket även digitala kretsar blir när du minskar storleken eller höjer hastigheten tillräckligt), är definitivt svart magi... skulle vilja ha hållt på mer med det men har ännu inte funnits tid mer än två kurser.
Skriv svar