Beräkna emitterföljarmotstånd?

[Fritzell]

I en enkel emitterföljarkoppling som nedan, låt säga i ett seriereglerat ställbart nätaggregat - behövs ju teoretiskt sett inget emittermotstånd på utgången eftersom feedbacken kompenserar för att Vbe sjunker vid ökad ström->tempratur. Inga konstigheter så här långt?

Men vid parallellkoppling av två eller fler transistorer, varför behövs egentligen emittermotstånd? Jag menar, börjar den ena dra ojämnt kommer ju den andre följa med i Vbe då dom är parallellkopplade och på så vis stabilisera strömmen jämnt? Vet att det egentligen inte borde funka i praktiken eftersom det alltid används emittermotstånd, har försökt hitta en vettig logiskt förklaring till varför men ej hittat någon. Så frågan är, varför behövs dessa och hur räknar man på storleken?



Tacksam för svar
Fritzell

[SvenW]

De behövs därför att Vbe minskar med ökad temperatur. Efter några sekunder går nästan hela strömmen genom den varma transistorn. Emittermotstånd kan kompensera en sådan obalans.

[Fritzell]

Jo fast det jag menar är att eftersom dom är direkt parallellkopplade borde dom få exakt samma Vbe. Hur kan den ena dra hela lasten om de har samma Vbe?

Frågan är ju varför det blir eller inte blir så. Dessutom kan det ju inte bli någon strömskening i ett nätaggregat till skillnad från ett återkopplat slutsteg.

[SvenW]

De är inte exakt lika, och även om de vore det så skulle de ändå inte få samma temperatur.

Man kan analysera det hela som ett reglerproblem.
En skillnad i Vbe ger en skillnad ström som ger en skillnad i temperatur som ger en skillnad i Vbe.
Om slingförstärkningen är större än 1 blir det instabilitet.
Man får instabilitet vid ett visst värde strömmen.
Den kritiska strömmen blir nog högre om man sätter transistorerna nära varandra i samma kylfläns.

[Andy]

Använd FET’ar istället för bipolära.

[grym]

du kanske kanske kanske kan få det att funka om du har matchade transistorer och exkat lika kylning och om alla planeter står rätt i förhållande till varande och du har röd socka på vänsterfoten och en grön på högerfoten


dom finns är för att det praktiskt sett måste finnas där

räkna med 0.2-0.5v spänningsdropp vid max ström

[prototypen]

Om man ska vara politiskt korrekt så ska det vara en BLÅ på högerfoten. Men jag håller med grym 0,2 - 0,5 V räcker för att balansera. Man kan enkelt se hur det balanseras genom att mäta spänningsfallet över motstånden, med ohms lag får man strömmen, men som alltid kan man inte räkna med dubbla strömmen då man använder 2 transistorer.

Protte

[Synesthesia]

Man kanske kan förklara det så här:
Vbe i förhållande till strömmen minskar med ökad temperatur, dvs desto varmare transistorn blir, desto högre ström vid samma Vbe. Spänningen/strömmen över en vanlig kiseldiod ändrar sig på samma sätt. Det gör att den varmaste transistorn får mest ström (och blir ännu varmare) om man parallellkopplar utan motstånd i serie med emittrarna.

[jesse]

det är väl snarare Hfe som skiljer, så vid samma Vbe kan en transistor leda dubbelt så mycket ström än en annan. Men med resistor så minskar Vbe för den transistor som har en högre ström, därmed blir strömmen mer jämnt fördelad.

[SvenW]

Strömmen i bipolärtransistorn är styrd av spänningen mellan bas och emitter.
Lite förenklat gäller

emitterström ~ exp( qV/kT) - 1

kT/q är ca 25 mV vid rumstemperatur
Det är här det väsentliga temperaturberoendet kommer in.
Strömförstärkningsfaktorn beror på hur stor del av laddningsbärarna som rekombinerar i basen, och den är också temperaturberoende och varierar ganska mycket mellan olika exemplar.

Rättelse:
Formeln ovan för emitterströmmen är nog helt fel när det gäller temperaturberoendet! Vid konstant ström minskar Vbe med ökad temperatur med ca 2mV/grad, och vid konstant Vbe ökar strömmen tvärtemot vad formeln säger.
Tror att i stället för V ovan skall det vara (Vb-Vbe) eller något sådant. (Vb är bandgapet). Dessutom kommer det in en del andra effekter.
Jag får överlåta stafettpinnen just nu till någon som har det hela aktuellt. Wikipedia och Google gav inte något bra svar denna gången
Hittade en del under 'Silicon bandgap temperature sensor'

[Fritzell]

Ok, tackar för alla svar!

Så man kan egentligen säga att även fast de har samma Vbe "externt" så har de i själva verket inte det pga att tempraturen inte är densamma, det är ju lätt att förstå. Egentligen behöver man inte gå in på djupheterna, det räcker ju med att ha en tumregel att gå efter; 0,2-0,5 spänningsfall vid max ström [per transistor] då antar jag?

Dvs om jag vill bygga ett nätagg alá 12A och vill dela upp strömmen på tre transistorer bör motstånden ligga på 0.125ohm (0.5V / 4A = 0.125)

[Icecap]

Korrekt!

Ju fler transistorer man delar upp till ju närmre bör man ligga på 0,5V.

[grym]

vill man och har lust att fjockla lite så mäter man dom faktiska strömmarna i kopplingen, om dom skiljer sig kan man antingen byta transistorer eller justera motstånden så dom drar relativt lika ström

inget man gör vid massproduktion, men för hemmabyggda saker kan man finjustera lite för skojsskull