Jag funderar på att använda en fotodiod ihop med en NPN-transistor. När jag belyser fotodioden vill jag att backströmmen ska bli så pass stor så att den som basström kan öppna transistorn. Hur mkt ström som kan passera genom fotodioden har givetvis att göra med hur mkt den öppnar sig beroende på hur många fotoner som träffar ytan.
Hur räknar man på detta? Vet bara att lasern jag vill att fotodioden skall detektera har en våglängd på 650nm och en effekt på 3mW.
Vad menas tex med en fotodiods känslighet som står under spec?
Hoppas någon kan ge en ledande hand
