Om man vill få riktig kräm i en IR-diod, t.ex. för användning i lasertag-liknande spel, så måste man pulsa med någon eller några ampere, säg t.ex. 2 Ampere. Hur åstadkommer man detta?
Man behöver förstås en transistor, antagligen en effekttransistor, men hur gör man för att begränsa strömmen genom LED:en? Ett motstånd i serie med LED:en borde ju brinna upp vid de här strömmarna? Ska man använda någon speciell typ av transistor för att slippa använda ett seriemotstånd alls?
Hur driver man en IR-diod?
Om det snackar om en vanlig IR-LED så har den lika stor chans att brina upp som motståndet. Det är genomsnittsströmmen som är mest intressant om du ska kolla om motståndet pallar effektutvecklingen. Om du exempelvis pulsar med en pulskvot på 10% så kan du säkert köra 10ggr högre ström genom kretsen än vad som är märkt genomsnitts maxsström.
Om du vill använda endas en transistor som strömbegränsare måste dess inre resistans vara stor nog att begränsa strömmen genom IR-LEDen.
En PWM-signal med låg pulskvot kan man få fram med en 555.
En chopperkrets tycker jag verkar vara lite väl tilltaget för att driva en lysdiod. Men vad vet jag? Det kanske behövs.
PWM står för övrigt för bulsbreddsmodulering.
Om du vill använda endas en transistor som strömbegränsare måste dess inre resistans vara stor nog att begränsa strömmen genom IR-LEDen.
En PWM-signal med låg pulskvot kan man få fram med en 555.
En chopperkrets tycker jag verkar vara lite väl tilltaget för att driva en lysdiod. Men vad vet jag? Det kanske behövs.
PWM står för övrigt för bulsbreddsmodulering.
Hur fungerar FET-trissor? Jag har läst att de har hög impedans på "basen" dvs. "gaten", samt att man i princip styr strömmen de släpper igenom med spänningen på gaten. Men om man nu gör det, varför behöver man då alls ett motstånd i serie med trissa och LED? Är det inte bara att lägga rätt spänning på gaten?
-
Schnegelwerfer
- Inlägg: 1863
- Blev medlem: 8 november 2004, 13:46:56
Jo, i princip kan man styra strömmen genom att lägga en viss gate-spänning.
Det är dock mycket mer komplicerat att generera en noggrann gate-spänning än att bara dundra på med så hög spänning som man kan på gaten (inom rimliga gränser förstås) för att minimera Rds-on, och sedan begränsa strömmen med ett seriemotstånd.
Du få precis samma effektförluster i vilket fall du väljer; antingen utvecklas effekten i FET:en eller i motståndet.
EDIT: Om man vill styra strömmen noggrannt m.h.a. gatespänningen krävs nog någon slags återkoppling, exempelvis via ett strömmätmotstånd till en OP som driver gaten. Annars har man ingen kontroll på den resulterande strömmen, som kan variera p.g.a. komponentvariationer temperatur mm.
Det är dock mycket mer komplicerat att generera en noggrann gate-spänning än att bara dundra på med så hög spänning som man kan på gaten (inom rimliga gränser förstås) för att minimera Rds-on, och sedan begränsa strömmen med ett seriemotstånd.
Du få precis samma effektförluster i vilket fall du väljer; antingen utvecklas effekten i FET:en eller i motståndet.
EDIT: Om man vill styra strömmen noggrannt m.h.a. gatespänningen krävs nog någon slags återkoppling, exempelvis via ett strömmätmotstånd till en OP som driver gaten. Annars har man ingen kontroll på den resulterande strömmen, som kan variera p.g.a. komponentvariationer temperatur mm.
