Differentiell förstärkning, transconductance

[Greve Hamilton]

Hallå där!

Jag har varken använt eller räknat på diff-förstärkare byggda av transistorer, tidigare. Anledningen till att jag inte vill använda en OP i nuläget är att jag vill lära mig någonting nytt.

Hur som helst, jag har inte riktigt greppat hur man bestämmer själva förstärkningen.

Jag hittade denna sida: http://www.ecircuitcenter.com/Circuits/ ... ffamp1.htm

Där dillar de något om gm, något jag inte riktigt vet hur jag beräknar. Visst, det handlar om "antal amper ut/volt in" och de skriver "gm = Ic / VT = Ic / 25 mV".
Ic är nog inget konstigt, men var får de 25mV ifrån?
Jag gissar att det är en godtycklig förändring på ingången.
Men de skriver även att "...gm (A / V) is set by the DC collector current".
Hur kan bias-Ic spela in i det hela? Borde de inte räkna med den motsvarande strömförändringen på Ic efter spänningsförändringen av ingången, istället för bias-Ic som de också räknar med i ett senare steg för att få A/V?
Eller är 25mV den DC som de menar ligger på ingången i oförändrat läge (fast inte skriver något)?

Jag måste ha missförstått något.

Nej, det bara snurrar. Någon som har lust att reda ut det här?

[kimmen]

Det där är alltså en linjärisering runt en arbetspunkt. En transistors kollektorström är en exponentiell funktion av bas-emitterspänningen.

gm = transkonduktansen vid arbetpunkten Ic (delta-iut/delta-vin)

25mV är V(T) vid rumstemperatur.

V(T) = k*T/q
där
k är Boltzmanns konstant
T är den absoluta temperaturen (vilket innebär att transkonduktansen sjunker med temperaturen)
q är elementarladdningen

http://en.wikipedia.org/wiki/Boltzmann_ ... al_voltage

[Greve Hamilton]

Tack för svaret! Nu förstår jag.