flera transistorer högre effekt?

[J.Reimers]

om jag vill ha ut mer effekt ur en pwm med tex. en st IRF740 ellerIRF 244, kan jag då paralellkoppla fler sådana, tex 4 eller 6 för att fyrdubbla - sexdubbla effekten?

lägger man dem då ben mot ben eller behövs mer drivkomponenter?

[Micke_s]

Rekomenderar något motstånd i serie med source och ut.
Och eventuellt så behöver du en starkare drivkrets beroende på hur mycket nuvarande orkar driva.

[Johan.o]

MOSFET går bra att parallellkoppla vid PWM-styrning, ja teoretiskt så fördelar sig effektförlsuten jämt över samtliga transistorer.

Ett litet problem kan ju vara att du likaså får multiplicera gate-laddningen med antalet
transistorer och då kan behöva en kraftigare drivkrets.

Samtliga transistorer ska ha separat gate-reistor som man såklart alltid har..

[Mindmapper]

Är bättre att skaffa rätt storlek på en gång, speciellt om det gäller en H-brygga. Ett problem är att du behöver kraftigare drivkretsar när du parallellkopplar, dock ej så mycket kraftigare än gentemot om du har en kraftigare transistor. Du får också bekymmer med skyddsdioderna. Om du har en kraftigare transistor har den också en kraftigare skyddsdiod, vilket är bättre än många små. Därmed inte sagt att du klarar dig med den inbyggda dioden.
Edit: Skyddsdioder till skyddsdiod
Edit2: något motstånd i serie med source behövs inte om det inte är som skydd för dioden. Ett sådant motstånd ökar bara förlusterna i kretsen. FET har den goda egenskapen av positiv tempkoeficient som minskar strömmen om temperaturen ökar, pga detta är FET goa att parallellkoppla.

[J.Reimers]

och slutsatsen av detta?

*man har alltid ett gate motstånd?/man behöver ej måtstånd?
*drivkretsen,
signalen ut från 556 genom ett motstånd, räcker inte den tro?

*hur ser dessa skyddsdioder ut? läggs de över lasten tex. 1n4002 eller större

[Mindmapper]

*Var står det att det inte behövs gatemotstånd. (Nu behövs det inte alltid.) Men hur var det med sourcemotstånd!

* Kan frekvensen ha någon betydelse tro?

* Har du läst databladen för t.ex IRF740?
Vid vilken frekvens används 1N4002?

Det finns mycket läsvärt om PWM i massor med trådar här och i wikin.

[Johan.o]

Tittar man i datablad för kraftfullare switchtransistorer så
är dom alltid specificerade för ett minsta gate-motstånd.

Transistorn fungerar utan gatemotstånd, men då beror strömmen av drivkretsen.
Har man en ordentlig drivkrets så är dock strömmen odefinierbar och begränsas inte
av speciellt mycket.

Det som kallas skyddsdiod är faktiskt inget man satt dit i efterhand för en MOSFET
utan en mosfet fungerar som en diod i backriktningen (Source till Drain),
respktive som en zenerdiod i framriktningen, detta kan man inte komma undan.

En nackdel med att dioden kommer med på köpet hur man än gör är att den kan vara rätt dålig, dålig reverse-recovery mm.. (Alltså hur lång tid det tar innan den slutar leda ström).

Anledningen till att man sätter varsitt motstånd när man parallellkopplar flera
är för att en transistor inte ska påverka drivningen för dom andra.
För MOSFET behöver man inte sätta Drain-motstånd på som man brukar göra med
bipolära transistorer, eftersom dom har positiv-temperatur-koefficient (transistorn leder mindre ström om den blir varm.) så därav har man inga problem med hotspots.

Man använder drivkretsar dels för att slå på transistorn snabbt, eftersom gaten behöver
en viss mängd laddning (Qg) innan den leder fullt så tar det en viss tid, Q=i*t .

edit: positiv-> Negativ

[Mindmapper]

Här är en bra artikel om MOSFET's positiva-temperatur-koefficient.
http://www.onsemi.com/pub_link/Collateral/AND8199-D.PDF

[Johan.o]

Intressant, det ska läsas.

edit:
Har nu läst noten:
Intressant att under en visst U_GS så kan en mosfet ha en Negativ temperatur-koefficient.
Visste jag inte, och har inte tänkt på tidigare. Men det är normalt ingen fara för transistorer som används för switchning då man normalt har rätt hög U_GS.

[kimmen]

Ja det där är lätt att missa - men det är bara ett problem när man använder transistorerna i sitt linjära område. Det är just gatespänningen som ändras, ju varmare transistorn blir desto mindre gatespänning behövs för att den ska leda lika mycket. Vid höga strömmar så balanseras det ut av att Rds(on) också ökar med temperaturen. Men i en switchkrets så är ju transistorn redan så bottnad som den kan vara och då spelar temperaturberoendet hos Vgs(th) inte någon roll för hur hårt den leder.

Sen så finns det "lateral" mosfets från Hitachi/Renesas/Semelab/Magnatec som har minskande ström med ökande temperatur även i sitt linjära område. 2SJ50, 2SK135, 2SJ162, 2SK1058, BUZ90*(D) och ECX-nånting. Brytpunkten mellan negativ och positiv Tc ligger vid c:a 100mA i stället för 10A+ som är vanligt för HEXFETs och liknande. De var väldigt populära i förstärkare, bland annat beroende på att de är nästan helt oförstörbara om man jämför med andra transistorer. Begränsar man gatespänningen till c:a 10V och sen matar gaten genom ett lämpligt motstånd (det blir kortslutning mellan gate och source när de blir varma!) så är de skyddade mot övertemperatur t.o.m! Svincoola! Nackdelen de har är låg transkonduktans och hög Rds(on). Vid 7A så förlorar man typ 10V över transistorn! Går att parallellkoppla utan sourcemotstånd även i linjära kopplingar.

Jag försökte förstöra en sån med drain och source kopplade till ett 50V 10A nätaggregat med transistorn monterad på en väldigt liten kylfläns som blev 170 grader varm vid 40W förlusteffekt. 10V genom 330 ohm till gaten vilket ger c:a 12A vid rumstemperatur om jag minns rätt. Det gick inte! Kylflänsen blev 170 grader varm och när den kom upp i det så aktiveras någon slags tyristorstruktur inuti mosfeten som kortsluter gate-source och stänger av den!