Sänks Vf överhuvudtaget om man parallellkopplar två dioder?
Jag behöver spärra matningen till en PIC18F2520 då jag har en "super-cap" som skall mata uC:n tills jag sparat undan vid spänningsfall.
I/O pinnarna kommer ju då vid normal drift att få VDD+Vf, och detta får enligt databladet vara max +0.3V.
Tänkte använda en BAT54C och strömmen kommer bara att ligga på några mA, men då vF@1mA är 320mV håller det inte. Men som sagt:
Sänks Vf överhuvudtaget om man parallellkopplar båda dioderna?
Alternativt får jag ta en lite klumpigare diod med bättre vF, t.ex 30BQ040 med Vf@100mA=150mV.
Finns det andra/bättre alternativ?
Diod som back-spärr till uC-matning?
De säger negativ för de mäter mellan source och gate:en
71-096-30 kanske, slår på när skillnaden mellan source och gate är −0,65...−1,5
Ex
allstå är gaten under 1.5 volt så är transistorn garanterad att vara på. Finns ockå ett maxvärde som är -8volt på denna, allså så får inte processorn skicka ut -5 volt ut på i/o pinnen 
, det som händer då är att det blir överslag över isoleringsskitet mellan gate:n och kanalen.
Om du hade haft en N-Mos med samma specas så hade det krävs 4.5 volt för garanterad att vara på.
Detta står i databladet:
"Very low level gate drive requirements allowing direct
operation in 3V circuits. VGS(th) < 1.5V."
Edit: Antar att du är ute efter en liten komponent.
71-096-30 kanske, slår på när skillnaden mellan source och gate är −0,65...−1,5
Ex
Kod: Markera allt
3 volt in ---. .-----------
|_____|
|
3+(-0.65...-1.5) = 2.35...1.5
GND ------------------------------
Om du hade haft en N-Mos med samma specas så hade det krävs 4.5 volt för garanterad att vara på.
Detta står i databladet:
"Very low level gate drive requirements allowing direct
operation in 3V circuits. VGS(th) < 1.5V."
Edit: Antar att du är ute efter en liten komponent.
Ok, då är jag med.
Men det innebär då i sin tur att jag måste in med en trissa till (NMOS/NPN) som drar gaten låg så länge det finns +5V matning.
>"Antar att du är ute efter en liten komponent."
Ja, jo, jag har visserligen plats med en "stor" diod t.ex. 10BQ015 i SMB-kapsel som skulle greja jobbet, men jag tyckte den känndes lite overkill. Men att ersätta den med *två* lite mindre komponenter för att göra samma sak känns nog nästan ännu dummare...
Visserligen skulle spänningsfallet bli mindre med FET-lösningen, men det bör inte ha någon större betydelse tycker jag.
Men det innebär då i sin tur att jag måste in med en trissa till (NMOS/NPN) som drar gaten låg så länge det finns +5V matning.
>"Antar att du är ute efter en liten komponent."
Ja, jo, jag har visserligen plats med en "stor" diod t.ex. 10BQ015 i SMB-kapsel som skulle greja jobbet, men jag tyckte den känndes lite overkill. Men att ersätta den med *två* lite mindre komponenter för att göra samma sak känns nog nästan ännu dummare...
Visserligen skulle spänningsfallet bli mindre med FET-lösningen, men det bör inte ha någon större betydelse tycker jag.
Finns en annan lösning, låt processorn matas med en diod från spänningskällan, du mäter ju redan idag om du har tappat spänningen, sätt mosfet:en på en I/O pinne som du släpper när du har sparat datan. (ev en pull upp mellan cap:n och gate:n
En fråga, måste du koppla bort supercapen i huvudtaget.
PIC har ju BOD.
Edit: La till lite ascii art
En fråga, måste du koppla bort supercapen i huvudtaget.
PIC har ju BOD.
Kod: Markera allt
+----------------------------+
| |
`.| | |
Vin---------|;+---------------|vcc |
| ' ' | | |
| | | |
-----------)-----------+io |
| | |
| | |
'--| | |
|--------|io |
.--| | |
' | |
__|___ | |
--.---Super | |
| Cap | |
| | |
| | |
------------+ |
+----------------------------+
>"En fråga, måste du koppla bort supercapen i huvudtaget"
Nej, nej. Anledningen att jag vill spärrara VCC är så att inte supercapen matar den befintliga utrustnngen "bakvägen" och töms direkt.
Så kör med en diod som har tillräckligt låg Vf så är allt frid & fröjd!
Alternativet med trissor:
Nej, nej. Anledningen att jag vill spärrara VCC är så att inte supercapen matar den befintliga utrustnngen "bakvägen" och töms direkt.
Så kör med en diod som har tillräckligt låg Vf så är allt frid & fröjd!
Kod: Markera allt
+----------------------------+
| |
`.| | |
Vin---------|;+---------------|vcc |
' ' | | |
| | |
| | |
| | |
__|___ | |
--.---Super | |
| Cap | |
| | |
| | |
------------+GND |
| |
+----------------------------+
Kod: Markera allt
+----------------------------+
| |
| |
Vin-------- ---------------|vcc |
| | | | | |
| ----- | | |
| | | | |
| | | | |
| |--' __|___ | |
----| --.---Super | |
|-- | Cap | |
| | | |
| | | |
GND---------------------------+GND |
| |
+----------------------------+
Det fungerar inte med transistorer som visat sist!
MOS-FET'en kommer att vara på vid drift och om VCC avbryts kommer supercap'en att mata baklängs till N-MOSFET'en inte kan drar längre.
Styrningen måste alltså komma på ett sätt som gör att supercap'en inte kan hålla den transistor när den matar baklängs.
MOS-FET'en kommer att vara på vid drift och om VCC avbryts kommer supercap'en att mata baklängs till N-MOSFET'en inte kan drar längre.
Styrningen måste alltså komma på ett sätt som gör att supercap'en inte kan hålla den transistor när den matar baklängs.
