MOSFET

Cano · Inlägg av **Cano** » 14 december 2006, 23:45:49

När man parallell kopplar två MOSFET,
Blir effekten som man kan ta ut ur dem dubbelt så hög då?
Och i så fall blir spänningsbortfallet över dom hälften så stort? (förutsatt att dom är likadana)

Henry · Inlägg av **Henry** » 15 december 2006, 01:11:37

Ja du kan ta ut dubbelt så mycket ström under förutsättning att båda klarar det då båda delar på den sammanlagda strömmen. Spänningsfallet ändrar sig nog dock inte så mycket.

Millox · Inlägg av **Millox** » 15 december 2006, 07:34:18

MOSFET:ar är resistiva när de är max öppna. Spänningsfallet blir halva mot vad det var med en, förutsatt att de är lika.

prototypen · Inlägg av **prototypen** » 15 december 2006, 08:07:13

Bara för att sammanfatta Henry och Millox, allt föutsätter lika transistorer, med samma ström blir spänningsfallet hälften med 2 transistorer. Dubblar man strömmen så blir spänningsfallet lika.

MOS transistorer går att parallellkoppla då den har positiv temperaturkoefficient. Bipolära transistorer har negativ temp.k. och går inte att parallellkoppla rakt av.

Prototypen

DalaErik · Inlägg av **DalaErik** » 15 december 2006, 17:14:48

Om man parallellkopplar två MOSFETar, hur är den rätta strategin generellt för gatearna? Ska man parallella dem också?

Har läst att det finns stabilitetsskäl att ha varsin gate-resistor. Någon som kan förklara det bättre?

Cano · Inlägg av **Cano** » 16 december 2006, 00:36:58

Tack för alla svar!
Jag är nybörjare inom elektronik (självlärd). (eller olärd

)

Hur hög effekt klarar en transistor?
EX. Darlington MJ2501/STM: Ptot=150W, Vceo=80V, Ic=10A

Jag tänkte som så att Ptot är max effekt men när jag läser infon om bokstavssymbolen (Elfa) så står det "Ptot-Total förlusteffekt-Total power dissipation".
Förvirrad???

danei · Inlägg av **danei** » 16 december 2006, 00:46:27

Effekten som avses är effekten som transistorn klarar av att kyla bort. Spänningsfallet över transitorn gånger strömen. Men det är med bra kylning.

prototypen · Inlägg av **prototypen** » 16 december 2006, 07:46:11

Total power dissipation är den förlusteffekt som transistorn pallar vid en bestämd temperatur på höljet, denna temperatur kan vara löjligt låg t.ex. 25 grader och betyder oändligt stor kylare i praktiken.

Man får räkna på den termiska resistansen och vad chippet tål för max temperatur. Med en total termisk resistans på 2 grader (chipp till omgivande luft) och max temp på chippet 175 grader och omgivning 25 grader så blir max effekt (175-25)/2=75 Watt.

Med bipolartransistorer måste man ta hänsyn till SOA (safe operating area) Vid höga spänningar tål inte transistorn full effekt pga strömmen trängs ihop på ett mindre område och orsakar lokal överhettning.

Cano:Det finns mer att skriva om men det kanske blir för mycket teori för en "självlärd", lycka till med elektroniken den är beroendeframkallande

Prototypen

Cano · Inlägg av **Cano** » 16 december 2006, 10:30:26

Tackar och bugar, det här var guld värt!

bengt-re · Inlägg av **bengt-re** » 16 december 2006, 11:07:53

Det GÅR koppla ihop gaterna direkt, men när jag gjort så har jag alltid gett dem ett varsit gatemotstånd. Switchar du hårt så se till att göra layouten symetrisk (lika långa och lika grova ledare för båda FETárna). Det är för övrigt ganska vanligt att parallelkoppa MOSFETAR för att spara vikt - man minskar effektutvecklingen per mosfet och kan ofta klara sig helt utan kylelement till MOSFETarna och mosfetar är lättare än kylelement... Oki att drivningen måste vara kraftigare, men gatedrivning brukar alltid gå lösa kylelementslöst ändå.