Ett tänkbart scenario skulle kunna vara att spänningsfallet blivit så stort, just i switchögonblicket, att gatespänningen inte varit stor nog att öppna FETen helt, då blir den ju direkt överbelastad när strömmen är stor. Frågan är om detta scenariot verkligen kunde inträffa med 18V drivspänning? Förvisso körde jag utan kondensatorer, men batteriet var nog ändå inte i så dåligt skick.
H-brygga
Jepp, jag har ju dimensionerat komponenterna så bra jag kan för att möjliggöra en stor gateström och därmed förebygga störningar eller för svaga öppningar.
Ett tänkbart scenario skulle kunna vara att spänningsfallet blivit så stort, just i switchögonblicket, att gatespänningen inte varit stor nog att öppna FETen helt, då blir den ju direkt överbelastad när strömmen är stor. Frågan är om detta scenariot verkligen kunde inträffa med 18V drivspänning? Förvisso körde jag utan kondensatorer, men batteriet var nog ändå inte i så dåligt skick.
Ett tänkbart scenario skulle kunna vara att spänningsfallet blivit så stort, just i switchögonblicket, att gatespänningen inte varit stor nog att öppna FETen helt, då blir den ju direkt överbelastad när strömmen är stor. Frågan är om detta scenariot verkligen kunde inträffa med 18V drivspänning? Förvisso körde jag utan kondensatorer, men batteriet var nog ändå inte i så dåligt skick.
Kolla den hära länken (speciellt Figure 8 på sidan 4):
http://ww1.microchip.com/downloads/en/A ... 00905a.pdf
I ett annat appplikationblad såg jag att D1, D2, D3 och D4 var Zenerdioder.
Detta borde förhindra att U(ds) blir för stort!
Kolla också in kondingarna i h-bryggan!
http://ww1.microchip.com/downloads/en/A ... 00905a.pdf
I ett annat appplikationblad såg jag att D1, D2, D3 och D4 var Zenerdioder.
Detta borde förhindra att U(ds) blir för stort!
Kolla också in kondingarna i h-bryggan!
Här är det där andra applikationsbladet jag skrev om i de föregående inlägget!
http://ww1.microchip.com/downloads/en/D ... 41233A.pdf
Figur 1-3 på sid 8
http://ww1.microchip.com/downloads/en/D ... 41233A.pdf
Figur 1-3 på sid 8
Joda, vi har dioder både mellan D-S och Parallellt med motorn.
Karten drivs på 60A bilbatterier och motorstyrningen har ett eget så spänningsfall är det inte.
Gate-spänningen är som den skall.
Dom kondensatorer som man sätter mellan D och S skall vara små! (har för mig att våra var 0.1uF och vi satte 25st parallellt
)
Dom blir lite småljummna när man kör.
Kylflänsen som allt sitter på blir inte en varm den.
Karten drivs på 60A bilbatterier och motorstyrningen har ett eget så spänningsfall är det inte.
Gate-spänningen är som den skall.
Dom kondensatorer som man sätter mellan D och S skall vara små! (har för mig att våra var 0.1uF och vi satte 25st parallellt
Dom blir lite småljummna när man kör.
Kylflänsen som allt sitter på blir inte en varm den.
-
christerljung
- Inlägg: 30
- Blev medlem: 16 maj 2004, 20:40:35
drivspänning
När jag byggde en motorstyrning för RC-bilar visade experimenten att förlusten i FET:arna blev mycket mindre om gate "on" spänningen gjordes extra hög.
Då åstadkom jag detta med en omvandlar-ic som höjde spänningen till 15v (från 5v).
Nu labbar jag med HIP4081 ...hittils bara med brända komponenter....
Då åstadkom jag detta med en omvandlar-ic som höjde spänningen till 15v (från 5v).
Nu labbar jag med HIP4081 ...hittils bara med brända komponenter....
>> christerljung
Normalt för icke-logikstyrbara N-FET är den maximala tillåtna spänningen mellan gate och source ±20V och tröskelvärdet 2-4V. Logikstyrbara öppnar vid 1-2V och tåler lite mindre G-S-spänning.
Du menar alltså att FETarna inte öppnar fullt ens vid det övre tröskevärdet?
Vilken krets använde du för att boosta spänningen? Jag är också intresserad av den metoden för att eventuellt kunna byta ut P-FETarna mot N-FET i framtiden.
Vad är det för fel på HIP4081? Dela gärna med dig av dina misstag så vi (jag iaf) slipper göra dem på egen hand
Normalt för icke-logikstyrbara N-FET är den maximala tillåtna spänningen mellan gate och source ±20V och tröskelvärdet 2-4V. Logikstyrbara öppnar vid 1-2V och tåler lite mindre G-S-spänning.
Du menar alltså att FETarna inte öppnar fullt ens vid det övre tröskevärdet?
Vilken krets använde du för att boosta spänningen? Jag är också intresserad av den metoden för att eventuellt kunna byta ut P-FETarna mot N-FET i framtiden.
Vad är det för fel på HIP4081? Dela gärna med dig av dina misstag så vi (jag iaf) slipper göra dem på egen hand
