High side-switch med N-FET

[bos]

Har läst på lite om low/high side switch och den röda tråden verkar vara att man vill ha low side om det är något obetydligt (typ LED) som ska switchas, men om man ska switcha något som absolut behöver korrekt jordpunkt så behöver man en high side. Vidare verkar den röda tråden vara "low side = NPN / N-FET" samt "high side = PNP / P-FET". Nu är jag ute för att kolla om det går att göra en high side med N-FET, för det innebär att då slipper jag köpa hem en extra komponent bara för detta ändamål.

Jag simulerade den tänkta kretsen och på source-sidan verkar det komma 3.3V, vilket är vad jag vill uppnå, men det verkar också som att strömmen inte kan flyta från det hållet. Värt att poängtera här är att jag kan inget om MOSFET då jag aldrig använt dem tidigare.

Se bifoga schema med simuleringsgraf. Går det att uppnå det jag vill med en N-FET, eller måste jag bita i det sura äpplet och köpa hem en komponent till?

[swesysmgr]

Du behöver nog mer spänning mellan Gate och Source, 5-3,3=1,7V räcker nog inte till. Testa med en puls på gate med högre spänning?

https://www.onsemi.com/products/discret ... ets/bss138

[bos]

Vad i databladet är det jag ska leta efter? Jag ser under "On characteristics" at Vgs(th) har max 1.5, medan mitt är 1.7. Borde inte det räcka, eller tolkar jag parametern fel?

[TomasL]

Det handlar om säpnningen mellan gate och source.

Inget annat.
Så, det beror på var lasten liggwer, hlt enkellt

[Swech]

Men vad är det du vill göra egentligen?
Det verkar som att du har 3.3V matning som du skall switcha med mosfeten.

Vad är det du skall driva och varför kan du inte köra med lowside?
En anledning med highside är t.ex. i fordon där det är dumt att ha konstant matning på en tråd och
lowside på den andra. Detta eftersom om kablaget kläms mot chassiet så kan lasten dra konstant.

Swech

[bos]

> Vad är det du skall driva och varför kan du inte köra med lowside?

En bluetooth-modul som heter HC05, respektive *kan* kan jag nog, men jag läser följande stycke:

However, step back and think for a second what the two different circuit types are doing. The low-side switch is switching ground while the high-side switch is connecting the voltage supply. Generally in a circuit, you want to keep the ground connected and switch the power. One reason is that even when the transistor is fully turned on, there is still a small voltage drop across it. That voltage drop means the ground is not 0 volts for that device. For something simple like an LED, it does not matter which you switch. However, an active device like a Microcontroller needs its ground to be ground! So when you have a load that requires ground, you NEED to use a high-side switch.

( https://www.baldengineer.com/low-side-v ... witch.html )

[Swech]

Du har ju en tråd med PNP transistor också?
Kör med en PNP och en NPN som drar ned basen på Pnp n.
Tittade som hastigast och HC05 verkar inte dra mer än 30mA så det behövs ju inga vårdslösa prylar för att driva den,

MEN tänk också på att när du slår av matningen till din HC05 måste du samtidigt sluta skicka ut data på kommunikationspinnarna
Annars riskerar du att mata HC05 via dess dataledningar och det resulterar oftast i att prylar går sönder...

Swech

[swesysmgr]

Vad i databladet är det jag ska leta efter? Jag ser under "On characteristics" at Vgs(th) har max 1.5, medan mitt är 1.7. Borde inte det räcka, eller tolkar jag parametern fel?

BS138.png

Det är för drain-ström 1mA, din lysdiod drar nog mer än så. Det lägsta värdet de brytt sig om att rita ut är U_GS=2V och då får du aldrig ens 20mA.