PIC micro och MOSFET

bengt-re · Inlägg av **bengt-re** » 24 augusti 2006, 07:24:25

Bara undrar hur ni resonerar. Om man kopplar en portpinne från en PIC till en MOSFET så säger vanan att man skall koppla in ett gatemotstånd in begränsar inrush current för gatekapacitansen till drivers maximala drivström (skulle bli 200 ohm på en pic), men jag har funderat på om man verkligen måste göra detta, iaf när man ligger på en gatekapacitans på säg 400-800pF och switchar med en PRF på max 150Hz. Oki, att det blir lite mer matningsrippel, men detta tar VSS-VDD kondensatorn hand om till 98%. Finns det egentligen någon orsak till att använda gatemotsånden? Degenererar man portdrivern i PICen genom att låta den jobba emot en så pass liten kapacitans?

Det är klart att jag kan sätta dit gatemotsånden, men vore roligt att höra hur ni resonerar/konstruerar.

Icecap · Inlägg av **Icecap** » 24 augusti 2006, 08:02:29

Jag har upplevd ett par gånger (i en SMPS applikation) att MOSFET'en lägger av och plötsligt ligger gaten med 12V ut (svetsat till drain). Sen får du själv gissa vad det gör med den pinne som egentligen skulle driva gaten.....

Är det en µC styrning lägger jag med motståndet, den störning som uppkommer annars kanske inte är allvarlig eller så men alla störningar kommer på något jävla tillfälle att komma samtidigt (Murphy du vet...) så allt man kan samla ihop av störmarginal är bra och allt man "säljer ut" är dåligt.

Det är alltså en avvägning för och emot..... driver µC'n enbart 1 MOSFET och funktionen inte är kritisk är det fullt möjligt att låta bli att montera motståndet.

Men sen får man tänka på lite annat:
Den extra avkoppling som kan behövas av matningen.... pris & storlek?
Är det lönt? (och det är väl egentligen det viktiga)

sodjan · Inlägg av **sodjan** » 24 augusti 2006, 10:29:14

Kärnfrågan är väl om man vill överskrida databladets max värden eller inte.
I detta fall en port-pinnes max strömdrivningsförmåga. I själva switch-ögonblicket
har man i princip en kortslutning och man kommer ganska säkert att överskrivda spec.

Varför skulle man utesluta gate-motståndet ? Spara kostnad och plats ?
Eller pressa ut bättre switchtider (genom att överskrida PIC'en spec) ?
Kanske bättre i så fall att sätta dit en "MOSFET-driver" IC.

bengt-re · Inlägg av **bengt-re** » 24 augusti 2006, 11:17:58

Bättre switchtider och två komponenter färre i BOMen. Oki två 200 ohm motstånd syns inte på priset.. Jag lägger nog dit motstånden ändå, för egentligen ogillar jag att belasta saker hårdare än vad databladet säger.

Tack för saklig feedback!

$tiff · Inlägg av **$tiff** » 27 augusti 2006, 17:58:03

Många gånger vill man faktiskt att FETen ska switcha på långsamt, för att inte generera så mycket störningar, det finns ju krav att uppfylla... Däremot vill man så gott som alltid stänga av den snabbt, därför syns ofta kopplingar med motstånd parallellt med switchdiod i professionella lösningar för att få en lagom kort stingande flank och så kort fallande flank som möjligt.

bengt-re · Inlägg av **bengt-re** » 27 augusti 2006, 21:24:42

Jo, iofs - men med låga switchfrekvenser så gör det varken till eller från. Använde tidigare darlingtontrissor för switchningen, men måste upp i så pass höga effekter nu att det inte är praktiskt längre. Darlingtontrissorna är rätt bra för att få ner dU/dt då dessa hamnade på en stigtid på ungefär 1,2us, men med nuvarande effekt så kommer förlusterna bli lite väl stora om jag inte switchar hårt, men men - går du alltid testa lite på optimala värden för lägrta EMI och acceptabel effektutveckling i trissorna. Ytmonterade MOSFETAR orkar inte leda bort så värst mycket värme, så gäller att vara lite vaksam om korten skall få långt liv.

Fegade ur och satte en 10k till jord också... onödigt egentligen, men äää.. känns lika bra