Addressera minne - utanför ramarna

Elektronikrelaterade (på komponentnivå) frågor och funderingar.
guckrum
Inlägg: 1903
Blev medlem: 19 juni 2012, 09:04:27
Ort: Lund

Re: Addressera minne - utanför ramarna

Inlägg av guckrum »

Men i SRAM är väl varje bit en vippa? Varför behövs det en sense amp för att läsa av en vippa?
Nej, SRAM byggs av celler om typiskt sex transistorer per bit. Små minnen kallas ofta registerbankar och byggs av flipflopar, men 256kb är inte smått.

edit: missade quoten
Nerre
Inlägg: 27188
Blev medlem: 19 maj 2008, 07:51:04
Ort: Upplands väsby

Re: Addressera minne - utanför ramarna

Inlägg av Nerre »

Marta skrev:Jovisst, men vipporna är så ynkligt klena att de behöver läsas av varsamt. Därför behövs ungefär samma avläsningsförfarande som för ett dram.
Ah, efter lite googlande förstår jag att vipporna jobbar med väldigt låga spänningar (för att kunna göra transistorerna så små som möjligt), så sense amp är främst en nivåhöjning.

Tänker jag efter så läser man väl inte DRAM med en förstärkare utan man läser egentligen genom att skriva? (Och detekterar om biten slår om eller inte?)
Användarvisningsbild
Marta
EF Sponsor
Inlägg: 7461
Blev medlem: 30 mars 2005, 01:19:59
Ort: Landskrona
Kontakt:

Re: Addressera minne - utanför ramarna

Inlägg av Marta »

Nublandar Du nog med gamla tiders kärnminnen, de lästes genom att "skriva" och blev det då en om-magnetisering av kärnan kom det en puls i lästråden.

DRAM läses genom en "precharge" av kolumnerna/läsförstärkarna innan radens trissor görs ledande så kapacitansen som utgör minnescell kan påverka spänningen antingen uppåt eller nedåt.
guckrum
Inlägg: 1903
Blev medlem: 19 juni 2012, 09:04:27
Ort: Lund

Re: Addressera minne - utanför ramarna

Inlägg av guckrum »

Ah, efter lite googlande förstår jag att vipporna jobbar med väldigt låga spänningar (för att kunna göra transistorerna så små som möjligt), så sense amp är främst en nivåhöjning.
Japp, det i kombination med att det är långa sladdar i minnesarrayer. Långa sladdar innebär stor kapacitans. Stor kapacitans kräver mycket ström för att ändra spänning. Så låga sving är snabbare och/eller energisnålare.
Nerre
Inlägg: 27188
Blev medlem: 19 maj 2008, 07:51:04
Ort: Upplands väsby

Re: Addressera minne - utanför ramarna

Inlägg av Nerre »

Ja, det finns tydligen SRAM utan sense amp, men de är vad jag förstod långsamma just på grund av detta.
Skriv svar