YES!!!!
Jag är uppe i nästan 20mVpp
Blev att studera lite av YD1150's trevligt bifogade stenciler.
På den senaste stencilen såg man först en Foster-Seeley detektor (med komponentvärden) på samma sida såg man sen ett principschema över en kvotdetektor (saknade mest komponentvärden).
Jag satt då och studerade skillnaden på dessa samt jämförde med vad jag hade sett om KD i nån annan av hans stenciler.
Först stog det tydligt att en liten konding från Up' till en RFC kopplad till sekundärens mittapp används i FS dvs S3 ÄR separat från trafon.
Då gick jag tillbaks till hans gamla stencil och mycket riktigt, C+L3 används där också MEN det framgår inte att L3 är en RFC (utan vad jag trodde en separat lindning på trafon).
I vilket fall provade jag sen med en separat spole med reaktans runt 500 Ohm, det blev något sämre, men det borde bli sämre också ty Zo var ju på 6k, räknade ut att 1mH nånstans vore lagom, gamla lika stora kärnan med fullt lager på 36 varv ger ungefär 36^2*1,17uH~1,5mH vars reaktans vid MF är 100k som är större än Zo*10 dvs mindre än 1dB's dämpning.
Jag kan alltså ändå få nytta av mina FT82-77 ferriter med extrema AL-värden
Men jag kommer skippa det för jag har kommit på den ultimata lösningen:
Dra Up' (dvs drain) DIREKT till mittappen hos sekundären, voila och AF åkte upp från 4mVpp till 20mVpp!
Men det var bara för att YD1150's senaste stencil gav mig tipset (trots att schemat var "Basic").
Egentligen är det rätt självklart för vad är det jag försökt göra, jo injicera en del av Up' in i mittappen på sekundären.
Och hur gör man det bäst?
Inte genom att spänningsdela mha en kondensator och ett motstånd i alla fall, jag tyckte det skulle gå och det gick men ut kom ju bara 4mVpp, en starkare injektion fås ju om man drar Up' direkt till mittappen.
Samtidigt visste jag att mittappen belastar väldigt lite, gissar 50k pga utgångsmotstånden (sen vad dioderna bidrar med ger ju i alla fall ingen större last), dvs Up' belastas nu med >50k vilket faktiskt är optimalt ty Zo~6k och man vill inte ha en belastning som är <60k för att Zo inte skall påverkas.
Tycker jag har träffat bra här, KD fungerar och går att använda MEN ingångssignalen måste vara större än 100mVpp
Problem:
1) Jag kan inte få 100mVpp direkt ur mixern, det är helt enkelt för mycket begärt.
2) Jag har spikat antal noval-rör, chassit, strömförsörjningen och PA(AF), tror 10mVpp från KD räcker för full utstyrning.
1 innebär att jag måste ta till extra gain om jag ska kunna använda nuvarande KD, här har jag en lite rolig ide' som jag länge velat testa, det är inte ovanligt att pentoder har en my på 5000, dessa my går dock i princip aldrig att använda för Ra blir alltid mycket mindre än rp (samtidigt som detta gör att spänningsförstärkningen kan skrivas gmRa) MEN vad jag skulle vilja prova nån gång i mitt liv är att införa bipolär strömgenerator (PNP) i anodkretsen och då i princip få ut dessa 5000 i förstärkning).
Normal pentod-förstärkning är mindre än 200ggr så 5000 skulle ge 25 gånger högre förstärkning.
Men vi stoppar lite här, vad har jag för förstärkning nu?
Jo, jag har gmZo där Zo ungefär är 6k och gm 3mS dvs 18 i förstärkning.
Men om spänninsförstärkningen kan skrivas gmZo och Zo är fixerad till 6k, det enda sättet att få upp förstärkningen är då mer gm och som jag tidigare utrett hittar man knappt rör (oavsett typ) med gm över 10mS, säg 12mS.
Eftersom jag nu har 3mS och max är 12mS så kan jag maximalt få ut 4ggr "mindre" insignal dvs 25mVpp, det är fortfarande alldeles för mycket.
Men observera att jag tittat på JFET/Pentoder, allmänt och mer generellt gäller följande formel för förstärkningen (trioder inkluderat):
\(A_v=\frac{\mu R_a}{r_p+R_a+(\mu +1)R_k}\)
Om Rk är avkopplat (eller inte ens finns) reduceras formeln till
\(A_v=\frac{\mu R_a}{r_p+R_a}\)
och
först när rp>>Ra fås
\(A_v=\frac{\mu R_a}{r_p}=gmRa\)
Men vad jag tänkte med det här är att gm kanske inte blir så avgörande när man kanske har Ra>>rp, då borde nämligen förstärkningen bli
\(A_v=\mu\)
Och det går att bygga strömgeneratorer mha BJTs med 10-tals megaohm (tricket är mest ett emittermotstånd) samtidigt som rp hos pentoder stannar vid runt 1M Ohm.
Så det går att få ut my även ur en pentod!
Två problem:
1) Radion skall bli en All Triode Tube Radio
2) Halvledare i radion (likriktaren nyttjar dock två dioder redan pga lämplighet vad beträffar trafoutbud).
Fast kanske det inte kommer att funka med triod-likriktare för detektorn, jag menar varför kör jag ens Germanium just nu?
Om jag nyttjar ett par Germanium-dioder i skarpt läge blir det faktiskt plats för en ett rör till!
Men jag vill inte, jag vill diodkoppla ECC83 (eller kanske ECC82 är lämpligare pga lägre rp?), dioder för att simulera mittappad jord i FW-likriktaren modell ECC88, det kan jag ta för dels är det redan gjort, dels har det mest med tillgänglighet att göra dvs här fuskar man egentligen inte för det går att få fatt i nättrafos där man slipper Si-dioder, strömgenerator skulle dock vara rent fusk.
Stora Ra ger alltså my i förstärkning, detta är svårt hos JFET/Pentoder men enkelt hos trioder, om jag har Zo=6k (jfr Ra) så kan jag styra förstäkningen genom att välja triod, dock måste rp vara i närheten av Ra för att det ska "hända" nåt.
Med min JFET och dess transkonduktans tycks jag har runt 18 i förstäkning.
ECC88 har ett rp om vänta...2k6 typiskt (my=33)
Förstärkningen med ECC88 blir då
\(A_v=\frac{\mu R_a}{r_p+R_a}=\frac{33*6k}{2k6+6k}\)
dvs Av=23
Obetydligt mer, alltså.
MVH/Roger
PS
Bifogar aktuell KD.
Du har inte behörighet att öppna de filer som bifogats till detta inlägg.