Tolka datablad ICM7555

[rolex42]

Ska försöka tolka hur mycket ström jag kan belasta ICM7555 med.
Databladet specar bla
"output current max 100 mA"
Och sen finns Fig 7. Low output voltage versus output sink current.

ICM7555_Iosink.png

Om Vdd är 8V hur ska man då tolka denna figur?
VOL är ju i table 5 angiven till 0.1-0.4V. Menar man med grafen att VOL följer en linje från höger exvis 8V ner till 0.1 och strömmen som kan sänkas varierar från 20mA till 1mA ?

[Icecap]

Om vi håller oss till 5V matning är det enklare att förklara:
Om du drar utgången mot VDD med 10mA kommer spänningen på utgången att bli ung. 1,3V.
Är belastningen 5mA blir Vout ung. 0,65V

[rolex42]

OK, ju mer ström 555 out belastas med desto högre (=sämre) VOL, Voltage out Low.
Det är rimligt och om belastningen, strömen som ska sänkas, varierar exvis från 10mA till 1mA så följer VOL kurvan (1.3 till 0.1V).

Jag ska dimensionera några motstånd bla R11 (se bild). FET gaten är ju kapacitiv och ger korta upp/urladdnings-spikar.

555_extract.png

Simulering i LTSpice med NE555 istf ICM7555 ger en indikation på hur det ser ut.

555_out1k.png

Det är flera sekunder mellan omslagen High/Low. Bilden visar 555ans out-pinne ström med R11=1k.
Jag vill såklart att spänningen på gate blir så låg som möjligt när den ska vara låg och det är ju bra om den blir det så fort som möjligt men jag vill inte belasta sönder 555:an.

Om jag ska lista ut vilken maximal ström kan jag antingen använda siffran 100mA eller läsa av grafen för 8V och få fram ca 30-40mA (vilket såklart är säkrast).
Jag kanske överdriver "problemet" men det ju ganska intressant.

[Icecap]

NE555 (gamla typen) kan dra signifikant med ström på utgången än ICM7555.

Men du kan ju räkna på kapacitansen på gaten kontra strömmen och se om den växlar snabbt nog för dig.

[prototypen]

MEN hallå, 2N7002 är en småsignaltransistor, den högsta, "worst case" kapacitansen är 50 pF.
Med så liten kapacitans kan inte en 7555 gå sönder, även om R11 skulle vara 0 ohm, never.
Om någon kan räkna på stigtiden för en 7555 skulle det vara intressant att få veta strömmen med 50 pF belastning.

Sedan undrar man ju lite vad det är för koppling? Komparatorn verkar ha dubbla pullup och samtidigt verkar utsignalen från transistorn gå tillbaka till trigg?

Protte

[Icecap]

Och på det kommer att OM man belastar utgången kraftigt kapacitivt går den i "konstantströmsläge" så inget eldas upp.

[rolex42]

Jag tar gärna bort onödiga komponenter men om exvis livslängden på en 7555 minskar avsevärt kan jag lika gärna ha ett litet motstånd

Det är en i grunden enkel koppling (och utmärkt att lära sig saker med).
Den bygger på Micro M+ ombyggd med komparator och FET istf OP-amp & bipolära.

Funktionen är enkel: Om batteri-spänningen når över ett visst värde (ex 14.4) ska timern stänga av laddning och låsa detta läge en bestämd tid (ex 4s).
Jag har byggt en prototyp med NE555 som jag testkör sen en tid, men tänkte nu bygga en 2a protoyp med 7555 istället.

Kul att de två pull-up motstånden nämns. De hänger ihop med C5 som är en intressant konstruktion för att få en kort negativ flank på TRIG.
Anledningen till att det inte kan vara komparatorns utgång direkt är sannolikt att "TRIGGER must return to a HIGH state before the OUTPUT can return to a LOW state".

Jag tänkte först bygga en fungerande version med komparator, FET & CMOS timer som är stabil och under tiden lära mig så mycket som möjligt och sen mäta (exvis med Arduino logger) olika punkter.

[rolex42]

... "konstantströmsläge" så inget eldas upp.

Det låter som att 7555 är skyddad mot för hög stöm.
Tolkar det som att det inte är nån risk att ta bort R11.

Edit: Det kasnke är samma sak med DIS, där jag satt ett motstånd för att skydda 7555an. Då behövs inte R9915 heller kanske.

[prototypen]

Gamla NE där är discharge (pin 7) strömbegränsad till 25 mA.
7555 torde därmed också ha någon sorts begränsning.

Protte

[Icecap]

rolex42: I en ICM7555 är utgångssteget MOSFET-transistorer. Deras karaktär är att de slår på med en viss maximal ström. Den exakta ström beror på transistorstorlek och source-gate-spänning.

Så man kan säga att den är kortslutningsskyddad på utgången - fast den inte är det ändå. Detta ska uppfattas så att strömmen är begränsat men om transistorn dra den maximala ström ett tag blir det värme i chippet som då kan eldas upp.

Så "lagom kortslutningsskyddad" kan vi kalla det.