Viloströmmar i MOSFET och transistor steg.

[überfuzz]

Jag har inte just designat några transistorsteg tidigare och har lite frågor gällande lämpliga viloströmmar potentialer etc. Nu försöker jag fatta hur man gör. Det känns oms att jag har hyfsad koll på hur man räknar, men inte hur man vet lämpliga värden på lite olika saker.

Förstärkarsteg med gemensam emitter

MOSFET

1. Hur tar jag reda på lämplig viloström?
2. Gapet mellan source och gate gör att jag helt kan försumma "basströmmen" va?
3. Hur tar jag reda på vad som är lämplig gate potential, ofta kallad V g = Vgs + Vs?

Bipolär

1. Hur tar jag reda på lämplig viloström?
2. Hur stor ström genom övre/undre basmotstånden är lämplig för att basströmmen ska kunna försummas?

[SvenW]

Det beror mycket på vad man vill åstadkomma.
Vill man ha maximal snabbhet väljer man hög ström.
Gör en uppskattning av effektutveckling och temperatur.
En övertemperatur på 10-30 grader kan vara lämplig.