Här ligger jag efter. Går igenom ett svar i taget men jag tror inte jag kommenterar något om spänning eller strömstyrd, det ligger långt över min nivå. OBS: Lång post!
MiaM skrev:Nu erkänner jag att jag inte har läst hela tråden särskilt noga, men måste säga att trådstartens koppling har också vissa poänger.
Den säkrar att lysdioden inte börjar lysa vid "tveksam" utspänning från mikroprocessorn. Det krävs minst ett lysdiodspänningsfall plus ett bas-emitter-spänningsfall för att dioden ska lysa. I praktiken behövs alltså minst nånstans omkring 2,5V. I vissa applikationer kan det vara bra att ha en sådan "brusimmunitet" inbyggd utan att behöva kosta på ett extra motstånd mellan bas och emitter (vilket annars är det normala sättet att ordna detta).
När transistorn leder så kommer kollektormotståndet utgöra den huvudsakliga strömmen genom dioden men basmotståndet bidrar också med ström genom dioden. Varierande spänning som "etta" kan vara svagt synligt på lysdiodens ljusstyrka, det är nackdelen med denna koppling.
Det är dock inte precis den vanligaste kopplingen.
Jag förstår hur du tänker här men tyvärr tänkte inte jag så när jag gjorde mitt första schema. Ska jag vara ärlig så låg jag på nivån: -"Jahopp, jag har NPN-transistorer hemma, dom ger positiv spänning, då sätter vi LED:en mot jord och så får trissan slå av och på matningen". Ni suckar säkert men jag måste börja någonstans
RoPa skrev:@Magnus_K ingen fara. I ditt fall så räcker det med att räkna ut ett Rb så att tillräcklig Ibe kan flyta. Var bara en allmän kommentar om att man i arbetsområdet för en transistor inte kan se den som strömstyrd.
GE står för Gemensam Emitter, insignal läggs på via Bas - Emitter och utsignal tas över Kollektor - Emitter (Emittern är gemensam). Finns GB och GC steg också.
MiaM's kommentar är fiffig om man har en signal där man inte kan vara säker på att den vid låg (t.ex. tri-state) är verkligen låg (under ett diodspänningsfall) och man vill spara in ett motstånd (jag skulle iofs. offra ett motstånd om jag var osäker) men från en PIC så är den "låg" både vid "noll" och i tri-state.
Angående GE, GB och GC så har jag aldrig hört det innan men jag förstår vad du säger om GE-koppling. Det är den enda "vanliga" som jag känner till men jag ska absolut leta upp lite exempel på GB och GC också, om det så är mycket för att kunna hänga med i diskussionerna också!
Normalt sett hade man väl monterat ett pull-down vid utgången på PIC'en va? För att försäkra sig om att signalen hålls nere menar jag. Det kanske är det motståndet ni pratar om?
Icecap skrev:Magnus_K: OK. Om Hfe t.ex. anges som 300 gg i databladet kan man mätta transistorn vid att beräkna basströmmen efter 10% av Hfe, alltså i detta exempel (300 * 10% =) 30. Detta betyder att basströmmen då blir 10 gg högre än nödvändigt (om nu basen tål detta, kolla databladet!) medan Vce kan nå värden runt 0,3V eller lägre, beroende på transistor och kollektorström.
Den definition jag lärde mig i sin tid var att "mättnad" var när Uce < Ube. Och kollar man på t.ex. en darlingtonkoppling är den just för att säkra att den inte driver krafttransistorn i mättnad. Kolla schemat för ULN200x, även dom kan inte gå i mättnad på utgångstransistorn, just för att få bra switchtider. Det betyder dock att man då får en minimal "Uce" på 0,9V eller högre.
50% Hfe betyder i grunden att man styr med den dubbla av den nödvändiga basström osv.
Om man analyserar TTL-kretsars koppling internt (transistornivå) ser man att de är designad för att inte gå i mättnad då detta påverkar switchtider ganska avsevärd. Slutsatsen är att en "hård" drivning ger långsammare switchtid - men kan ge lägre förlust vid låga frekvenser. Och en blinkande LED är definitivt en låg frekvens.
Men är det en fråga om att blinka en LED är det mycket sällan anledning att använda en transistor mellan µC och LED och behövs det ändå är MOSFET ett bättre alternativ, speciellt om man jagar strömsnålhet.
Tack för ett bra svar!
Jag har läst lite om just det här också att vid hög frekvenser så mättar man inte trissan pga att den tar då lång tid på sig att återhämta sig (tror även någon av er skrev det tidigare i tråden). Vi får se om jag får tid men tanken är i alla fall att elda några trissor (denna gång planerat!) med skopet riggat och försöka se något av det här. Vore kul att se/mäta en del av vad ni lärt mig.
När jag bestämde mig för att grotta ner mig i transistorernas värld så funderad jag på vad jag skulle driva den med och valet blev en µC då jag kan gå väldigt högt i frekvens och så nära en signalgenerator (eller vad lämpligt instrument kan tänkas kallas) jag kunde komma. Slutligen kom tanken till lasten och det fick bli en LED. Mycket för det visuella men också "krånglet" med ytterligare en resistor.
MOSFET's kommer om ett tag!
Kjelle skrev:Ytterligare en tråd som drar emot atomnivå
Kjelle
Jo, men visst är det intressant? Tycker det är skitkul att läsa men tyvärr känner man sig lite handikappad när det är i ens "egna" tråd och inte har kunskapen nog att svara eller kommentera.
miramithe skrev:I en vanlig generator när en ledare rör sig genom ett magnetfält induceras en spänning som driver en ström i ledaren, utan belastning drivs ingen ström i ledaren.
oavsett då så behöver man både en ström och en spänning när man ska använda en transistor.
Men en transistor är en strömförstärkare och man styr strömmen med basen, därför anser jag att transistorn är strömstyrd.
LED anser jag även den vara strömstyrd då man kan döda dom om man inte strömbegränsar.
Visst, skrev tidigare att jag inte tänkte kommentera om transistorer är ström eller spänningsstyrda men den här beskrivningen tyckte jag om.
Vi kanske får lämna det så. För min del spelar det inte just nu speciellt stor roll om den är spänning eller strömstyrd, det viktigaste för mig är att jag kan räkna och lära mig använda transistorer på ett korrekt sätt.
