Hur räknar man på bipolar junction transistorer (BJT)?

[Farbror Bertil]

Alltså jag blir bara förvirrad när jag ska försöka lösa sånt här. Är bara intresserad av att kunna räkna på det här och har sett mängder med videoklipp på tuben och läst i min bok men förstår fan inte vad det hela går ut på, allt från hur man beräknar och sedan gör grafer osv.

Så här mycket har jag typ lyckats förstå nu:

* Transistorn har tre områden; emittern som sänder ut elektroner, collectorn som tar emot och basen som typ kan aktivera så att de andra områden funkar.
• (E)mittern är alltid det benet som har en pil. Basen (B) är alltid i mitten och (C)ollectorn är alltid benet utan en pil.
• Du vet om det är en PNP eller en NPN beroende då pilen alltid ska peka mot N. Pekar pilen innåt så vet du att N sitter i mitten och det är alltså en PNP.
• Normalt sett är collectorn reverese-biased medan emittern är forward-biased.
• För en NPN är basterminalen alltid positiv i respekt till emittern, även collectorn är positv med respekt till emittern.
• VBE brukar vara runt 0.7V (åtminstone i skoluppgifter).

Det är typ vad jag har förstått. Men det verkar också vara så att man ibland ska räkna ut VBE, vilket det inte står någonting alls om hur man gör i min bok, för det verkar jag antas bara förstå (men icke sa Nicke).
Blir så bedrövad så jag väljer att be om hjälp här i ett sista desperat försök. Har ni några tips att ge mig om detta som gör att det blir något lättare att förstå?
Finns det eventuellt något pedagogiskt klipp på nätet som talar om hur detta fungerar?

[arvidb]

Det är relativt enkelt (när man förstår det ).

Säg att du vill styra en ström på 1 A, och din bipolära transistor har en förstärkning (hFE) på 100 ggr. Då måste det gå minst 1 A/100 = 10 mA ström genom basen (pilen visar var och i vilken riktning basströmmen går). Denna ström kallas IBE, och är negativ på en PNP-trissa (eftersom en högre spänning normalt finns på emittern än på basen på en PNP).

Spänningsfallet "över pilen", VBE, är som sagt ca 0,7 V (NPN) eller -0,7 V (PNP). Detta är en egenskap hos själva materialet som transistorn är gjord av. Om du har en NPN-trissa och vill styra dina 1 A med en spänning på 5 V, så får du använda Ohms lag (U=R*I) för att räkna ut vad du ska använda för strömbegränsningsmotstånd på basen för att få rätt IBE. Basen kommer att ligga 0,7 V högre än emittern, som troligtvis ligger på 0 V, och resterande 4,3 V behöver "brännas" bort i motståndet:

R = U/I = (5V - 0,7V)/0,010A = 430 Ω. (Välj närmast lägre standardmotstånd.)

Detta alltså för en NPN-trissa som används för att slå av och på en större last.

[4kTRB]

Shockley diode equation
är väl det du får läsa på mer om för att beräkna Ube.
Har att göra med temperatur och material vilket Ube du får så
helt enkelt är det inte.
http://en.wikipedia.org/wiki/Diode

[Farbror Bertil]

Tack för förklaringen arvidb, det ljusnade mycket tack vare ditt inlägg.

Och ja, jag har läst på mer om VBE nu och hur den i princip måste vara mellan 0,6 och 0,7 V vid rumtemp enligt Shockleys ekvation och hur det hänger ihop med IE.

[Krille Krokodil]

Du har alla samband i Ebers-Moll-modellen:
http://en.wikipedia.org/wiki/Ebers%E2%8 ... Moll_model