Nybörjarhjälp - förklara schemat?

[Stridfish]

Alla svar har varit till stor hjälp för mig. Men här har jag ytterligare ett schema som jag inte fattar hur den fungerar. Darlingtonkretsen är ett frågetecken också vill veta hur strömen beter sig där med plus var B står för som är längst ner på bilden

image.jpg

[TomasL]

http://en.wikipedia.org/wiki/Bipolar_ju ... transistor

[PeterH]

Det är kul att du vill lära dig mer Hur tolkar du texten i rutan som beskriver funktionen för en darlingtonkoppling? Har du provat att söka på darlingtonkoppling? Jag förstår att man vill ha lätta och snabba svar, men i långa loppet kommer det inte fungera att fråga här utan att först själv lägga ner lite energi... När du har funderat lite och sökt lite mer (det är en ganska enkel koppling att förstå) så kommer du tillbaka och så reder vi ut kretsen tillsammans.

[Nerre]

Darlingtonkopplingen förklaras ju på sidan jag länkat till förut...

Du får gärna visa att du anstränger dig själv lite innan du ber oss lägga en massa tid på att förklara grundläggande saker för dig.

[adent]

Transistorn är lite lurig att lära sig. Jag hade förmånen att traggla den ordentligt på gymnasiet (el/elektronikinriktning på T).
Man måste nog traggla, räkna och testa för att förstå.

Dessa regler är förstås inte helt sanna, punkt 3 är osann, men tillräckligt bra till en början.

NPN-transistor:

0. En transistor förstärker genom att släppa på mer eller mindre ström. Strömmen behöver en spänningsskillnad för att kunna uppstå.
1. Strömmen från bas till emitter förstärks med en faktor hFE (kanske runt 400 för en vanlig liten transistor).
2. Resultatet av förstärkningen är strömmen från kollektor till emitter.
3. Spänningen mellan bas och emitter är alltid ca 0.7V.
4. Strömmen ut från emittern = basströmmen plus kollektorströmmen.

Utgår man från ovanstående kan man räkna sig fram hyffsat med ohms lag.

MVH: Mikael

[Stridfish]

Jag har alltid trott att resultat av förstärkningen kom ut i kolektorn. Trodde också att man bara tog strömen som gick in i basen och gångade med hfe. Så du menar då att man ska plussa strömen från kolektorn och basen?

[Nerre]

Ritar man upp transistorns ekvivalent brukar det se ut nåt sånt här.


Vilket brukar ge lite bättre förståelse för spänningar och strömmar.

Om det går in en ström Ib på basen och en ström Ic på kollektorn så måste det ju komma ut Ib+Ic på emittern (var skulle annars den extra strömmen ta vägen?).

[PeterH]

tro får man göra i kyrkan... Du tänker nog på att man ofta tar ut signalen i kretsen på kollektorsidan, men kolla igen vilken väg strömmen går när transistorn LEDER...

[Stridfish]

Vad menar du med att ta ut signalen i kolektorn

[PeterH]

Inte ta ut signalen i kollektorn... Jag skrev från kollektorsidan.

Här är en typisk koppling med transistor (även om lysdioden är lite underligt placerad) där man tar signalen på kollektorsidan, men den (kopplingen) fungerar inte som du kanske tror(?) Den ger alltså låg signal när transistorn leder och hög signal när transitorn stryper.

stegmotor_drivare_bc547.gif

[adent]

Jag har alltid trott att resultat av förstärkningen kom ut i kolektorn. Trodde också att man bara tog strömen som gick in i basen och gångade med hfe. Så du menar då att man ska plussa strömen från kolektorn och basen?

Ofta är ju basströmmen försumbar i förhållande till kollektorströmen,
så att basström + kollektorström ungefär likamed kollektorström, men
det är iaf den vägen basströmmen går och tack vare de 0.7 Voltens spänningsfall
kan man ganska enkelt räkna ut ett lämpligt bas-motstånd.

Jag förstår ungefär vad du menar när du säger att förstärkningen kommer ut i kollektorn, men det beror
väldigt mycket på vad man ansluter och hur. Googla gc-steg och emitterföljare så får du några exempel på
kopplingar. Eftersom jag är digitalmupp så gillar jag att använda en NPN-transistor för att slå på laster som
antingen inte kan drivas direkt av processorn eller kräver högre spänning eller bägge.

Ett exempel:

12V - 12V_led_list_med_egna_motstånd - (kollektor-(NPN)-emitter) - jord

Sen har jag en processor som går på säg 3.3V kopplar en digital utgång via ett motstånd till basen på NPN-transistorn ovan. Sätter jag pinnen hög går ligger det 3.3V ut till basmotståndet, eftersom spänningsskillnaden mellan bas och emitter (jord i detta fall) var 0.7V får jag en spänningsskillnad på 3.3V - 0.7V = 2.6V över motståndet, 2.6V/R(bas) = basströmmen.

I detta fallet vill jag att transistorn ska bottna ordentligt så kanske drar jag till med 470ohm. Det ger:

2.6/470 = 5.5 mA. med hFE på 400 ger det ca 5.5mA*400 = 2.2A Så länge lasten (led-listen i exemplet) inte "drar" mer så är transistorn säkert bottnad. Här kommer kanske nån rätta mig om exakt hur man ska dimensionera i detta fall, gör gärna det isåfall

Vill man ha en ljudförstärkare vill man kanske istället att transistorn ska ligga mitt i sitt linjära område (alltså halvdra ström) så att en liten förändring upp i spänning/ström på basen ger en mycket högre ström genom transistorn (från kollektor till emitter) och en förändring ner i spänning/ström på basen ger en något lägre ström genom transistorn. Beroende på hur man kopplar kan man få inverterande förstärkare, eller ickeinverterande. Som jag minns exempeluppkopplingarna handlar detta inte om kraftförstärkning utan mer om en signalförstärkning (man kan inte lasta den förstärkta signalen). Men här finns nog gott om varianter på olika kopplingar ungefär på samma sätt som det finns många sätt att använda en förbränningsmotor på.

Hoppas inte jag förvirrar mer än förklarar...

MVH: Mikael

[Stridfish]

Men om man ska räkna ut vilken resistor man behöver då hur gör man då. Sen vill jag bara veta vad som betyder när en transistor bottnar och när den är strypt

[Icecap]

En strypt transistor är helt av, den leder alltså ingen ström.

En bottnad transistor har en ganska låg spänning över sig för att den är "ohemule mycket" på. Detta ger några fördelar och några nackdelar men basalt kan man säga att strömmen man matar in i basen är ung. 10x större än den rent faktisk behöver vara vid den kollektorström som går.

Fördelen är att spänningen över transistorn kan vara ner emot 0,2V (beror såklart på belastning), nackdelen är att det finns en del laddning som ska "sopas ut" när den ska stänga vilket tar tid. Så en bottnad transistor tar längre tid på sig att växla mellan av och på och vice-versa.

Hur man räknar ut motstånden är i grunden enkelt: Ohms lag!

Om vi t.ex. antar att man ska styra 1A med en transistor som har ett beta (ß) på 100. Beta anger att strömmen på kollektorn kan vara 100x högre än basströmmen, alltså behövs det en ström på basen på 10mA (0,01A).

MEN - detta får "bara" transistorn att slå på precis lagom och är det en av/på-grej vill man gärna att det ska hända i år också, alltså väljer man en basström på kanske det dubbla av vad som verkligen behövs, då lär transistorn gå på ganska snabbt.

Och nu vet man strömmen, man vet styrspänningen och Vbe, alltså tar man Ohms lag och en miniräknare.

[Stridfish]

Varför lägger man komponenten som vill ha högre ström till innan kolektorn, varför lägger man den inte efter emittern där den förstärkta strömen kommer ut?
Sen undrar jag vad ni menar med lasten?

[Nerre]

För att en ström ska gå in på basen så måste spänningen där vara högre än spänningen på emittern. Kopplar du lasten efter emittern blir spänningen på emittern 0,2 V under Vcc, spänningen på basen måste då vara högre än 0,7-0,2=0,5 V över Vcc. Du måste alltså ha en högre spänning på basen än vad du har på kollektorn.

(Det här beror på att vid bottnad transistor är spänningen mellan kollektor och emitter ungefär 0,2 V, medans spänningen mellan emitter och bas är ungefär 0,7 V.)

Det är en missuppfattning att den förstärkta strömmen kommer ut på emittern, det är snarare så att den förstärkta strömmen "dras in" på kollektorn.