Jag lyckades
Mitt trick att se till så att det sourceas med samma resistans som det sinkas gjorde susen!
Jag är lite osäker på varför men det pekar på kapacitiv last, det står inte i databladet för BD911 (NPN) men i databladet för IRF640 (N-MOS) står det 185pF som utgångskapacitans vilket dock nog är högre än för en BJT, observera att ingångskapacitansen för IRF640 är större än 1nF!
Jag gissar runt 100pF som utgångskapacitans för BD911, sourceas den med typ 1 Ohm så är det ju inga problem men sinkas den med hie kan det bli problem, 10k*100pF är dock en sån liten tidskonstant som 1us vilket är mycket mindre än dom 0,5ms ramparna kör så mitt resonemang håller inte riktigt.
Nu tror jag att jag faktiskt inte behöver nyttja batteri utan "bara" push-pull för vardera spänningshalvan, det gör alltså inget om det finns en tröskel på 2Vbe som gör att buffersteget inte når noll, innan buffersteget når 2Vbe ut så sinkas det ju av PNP'n samtidigt som under tiden trekanten är mindre än 2Vbe stannar den ju i origo ändå.
Fast bakre panelen är redan gjord och det finns inte plats för fler komplementära transistorpar samtidigt som NPN/PNP-switchen är maxad (4 poler vipp).
Jag skulle dock kunna fuska och sätta en vipp-brytare i gaveln där jag alltså har kvar det komplementära paret men i fallet NPN så får NPN VCC och PNP GND, i fallet PNP får sedan NPN GND och PNP VSS.
Detta kan funka och jag är faktiskt lite glad att jag kom på det just när jag skriver, trodde annars det var kört
Med andra ord blir NPN/PNP-brytaren uppdelad i två brytare (ty >4P vipp finns inte).
MVH/Roger
PS
Jag bytte till 3V-batteri istället, gav mig bättre marginaler i form av att 10 Ohm X 200mA=2V tapp.
Du har inte behörighet att öppna de filer som bifogats till detta inlägg.