DIY BLDC motor

[Icecap]

Nja, ska väl vara "alltid sluten eller avstängd" eller hur?

[H.O]

Icecap,
Du säger att "man" ALDRIG gör det eftersom det snabbt kommer förstöra transistorerna. Jag visar att flera tillverkare, stora och små, gör det utan att några transistorer går sönder - år efter år i 10-tusentals enheter. Jag säger också man får titta på egenskaperna hos den "inbyggda" dioden för att avgöra hurvida den uppfyller kraven man har på den. Att göra det är kanske anledningen att vissa "kommer undan" med det och andra inte.

Vad i ovanstående är det som helt säkert är fel?

Angående dubbla matningspänningen i spänningstålighet så får jag, än en gång, referera till Geckodrive och deras G320. Den är specad till 80V, använder 100V MOSFETar och fungerar utan problem, utan extra dioder.

Jag är ingen MOSFET expert, jag är dock väl medveten om att det inte är en fysisk diod dom stoppat in i samma kapsel men den ritad som en diod, den uppför sig som en diod och MOSFET-tillverkarna kallar det för diod i sina datablad.

[SvenW]

>> "alltid sluten eller avstängd"
Jag menar naturligtvis att en av de två komplementära transistorerna idealt sett alltid är sluten (ledande) medan komplement-transistorn är stängd (icke ledande).
Flankernas samtidighet är kanske inte alltid perfekt, frågan är om det går att göra den tillräckligt bra för att dioderna inte skall behöva gå igång.(?)

[Icecap]

SvenW: nja... BLDC-motorer brukar vara 3-fas och några mellanlägen finns, dock är det sällan att det medför en flyback-spik då den magnetiska massan är så stor och i rörelse.

H.O: Jag skiter faktisk i vad andra gör, du skriver att du designer efter att använda de inbyggda "dioder" och det är FEL! Behövs dessa aktiveras är ditt design grundläggande fel. Sedan kan du skriva om miljoner andra enheter som är designad fel, det skiter jag totalt i, att upprepa fel gör dom inte mindre felaktiga. Att de sedan kan ha ett drivsätt som gör att dioderna inte behövs eller att det finns ett RC-snubber nät inkopplat kan också förklara en massa men att planera att använda "dioderna" i MOSFET-transistorer är fel helt enkelt.

[bearing]

Om man tittar på kurvan över spänningsfall och ström för bodydioden på en kraftig FET (t.ex. IRFP4110) och jämför den med en kraftig schottkydiod så har FETen lägre spänningsfall vid högre strömmar. Jag är skeptisk till om det här stämmer. Det skulle kunna bero på att diod-databladen använder "worst case" i deras kurvor, medans det är "typical case" i FET-databladet, eller annan skillnad i mätsätt. Men om det stämmer borde ju det betyda att en schottky-diod parallellt med en kraftig FET inte avlastar FETen vid höga strömmar.

Reverse recovery är långsam för bodydioden, så en schottky parallellt borde ju göra nytta, särskilt om omslagstiden är snabb.

[Icecap]

Ganska fel. När bodydioden leder är det som zenerdiod vilket då är vid högsta spänning över transistorn.
Om spänningen reverseras är det den typiska tyristoreffekt som kommer ("latch-up") vilket är skadligt för transistorn. Om man designer efter att transistorn kommer att reverseras är designen fel.

[cobree]

Hej

Jag har också reflekterat över att använda bara 0.8 tråd men jag kommer att dubbel linda till en början i och med testerna börjar med 12 volt för att testa mjukvaran och drivningen så räknar jag med att bygga en version 2 med nya lindningar Kommer väl sikta på 48 volt framöver... men prototyp 1 först...mer jobb än jag räknade med som vanligt...

[AndersG]

Och man designar ALDRIG med att det "inbyggda" dioder i FET'arna ska klara snubberfunktionen!!!!!!

Nu undrar jag om vi pratar om samma sak, men det är helt kosher att utnyttja lavingenombrottet, så länge man inte överskrider transistorns Ear/Iar:

http://www.nxp.com/documents/applicatio ... N10273.pdf

"Following extensive investigation, it is clear that there is more than one failure or wear-out
mechanism involved in repetitive avalanching. Temperature is not the only limiting factor
to a repetitive avalanche operation. However, by limiting the temperature together with the
repetitive avalanche current (IAR) it is possible to define an operating environment such
that the avalanche conditions do not activate any device degradation. This allows the
power MOSFET to operate under repetitive UIS conditions safely."

http://www.st.com/stonline/products/lit ... /12244.pdf

(Se: 4 Conclusion)

[bearing]

Ganska fel. När bodydioden leder är det som zenerdiod vilket då är vid högsta spänning över transistorn.
Om spänningen reverseras är det den typiska tyristoreffekt som kommer ("latch-up") vilket är skadligt för transistorn. Om man designer efter att transistorn kommer att reverseras är designen fel.

Nej, du tänker på något helt annat. Du tänker på när spänningen över transistorn överskrider max V_DS så att den går in i avalanche. Det här handlar om när V_DS blir negativ så att bodydioden börjar leda som en vanlig diod, med framspänningsfall likt en vanlig diod.

[cobree]

Jag var precis inne och läste på IRF sida hitta också bara om avalanche, men hitter ingen application note om att använda diode, men det skadar nog inte att använde en till en början, i och med att jag lindar själv och placerar spolar och magneter med en ganska dålig precision så kommer ju inte av och på i rätt ögonblick, vilket kommer att generera mer ström, men detta skall vara ett läroprojekt, jag är glad om den snurrar först, om man kommer i närheten av axels konstruktion så är jag mkt nöjd.
Jag har även sneglat på atmels AT90 M1 som har en högre PWM frekvens, än std. Men jag har beställt AT90CAN kort planen är att styra via CAN.... 2011...

[bearing]

Cobree: du kan räkna ut vilken spänning som induceras enligt formeln för inducerad spänning i ledare i magnetfält. E=Bvl, har jag för mig. Finns program för att beräkna magnetfältstyrkan mellan magneterna, t.ex. FEMM.

Jag tror det är bäst om ledarna går i samma riktning som en linje från motorns centrum när de korsar magnetfältet, inte cirkulärt.

[H.O]

The do's and dont's of using MOS-Gated transistors Kan vara nyttig läsning, bland annat står det, i första stycket:

The integral body-drain diode is a real circuit element, and its current handling capability is typically as high as that of the transistor itself. Some circuits require an “inverse” rectifier to be connected across the switching device, and in these circuits it will often be possible to utilize the body-drain diode of the HEXFET power MOSFET provided the proper precautions are taken.

I stycke 8 står det också vad dessa proper precautions är och vad man ska tänka på ifall man väljer att använda den interna dioden trots att detta sägs vara helt fel. Jag väljer att "lyssna" på IR i det här fallet.

[cobree]

Tackar jag skall plugga igenom den....


Hitta lite om ström i ledare
AWG Diam /mm Ohm/km Amp/led A/coil FreqMax
18 1.02362 20.9428 16 2.3 17 kHz

Men jag tror på att dubbellinda till en början med 0.8 - 1 mm tråd.

Jag har hittat lite mer att plugga in på...

http://info.ee.surrey.ac.uk/Workshop/ad ... index.html

[cobree]

Men!!!! Om man läser fler appnotes står det tex om IRF350 behöver inte någon snubberkrets det är detta som är en av fördelarna att använda hexfet... enligt irf...
Nu fattar jag ingenting.. men jag testar utan...
Ett annat problem blir vid bromsning hur skall man ta hand om detta vid regenerativ inbromsning, skall jag PWM tillbaka detta också, skall jag då mäta strömmen, eller spänning.

Även om jag släpper på "gasen" (driver inga mosfetar) så att säga bara rullar, borde det genereras en del ström som då går via dioden tillbaka... kan vara intressant..

[cobree]

Det är förresten ingen som har den här boken

Axial Flux Permanent Magnet Brushless Machines AvJacek F. Gieras,Rong-Jie Wang,Maarten J. Kamper

Funderar på att köpa, intressant det som man kunde läsa på google books