En eller flera MOSFET'ar ?

rehnmaak · Inlägg av **rehnmaak** » 27 december 2008, 23:14:53

Hur menar du då kraftfullare? Med 0.37ohm kan du ju knappast dra 80A? Effekten blir ju 2.3kW i en sådan.

Glenn · Inlägg av **Glenn** » 27 december 2008, 23:24:02

Korrekt, det är jag som läst snett..

Denna var det som hade 0.37Ω:

http://www.st.com/stonline/products/lit ... 1nm60n.pdf

..Men den var ju bara på 10A.

Henrik · Inlägg av **Henrik** » 28 december 2008, 00:05:59

Mosfets är tacksamma att parallellkoppla då de till skillnad från bipolära trissor har positiv temp-koefficient mot ex rds-on. Därför får man en viss självreglering av strömmen.

prototypen · Inlägg av **prototypen** » 28 december 2008, 09:40:28

blueint skrev:Risken vid parallellkoppling är väl att en tar hela lasten eftersom den råkar ha lägre resistans än dom andra..?

MOSFET har positiv temperaturkoeffcient vilket gör att den transistor som drar största lasset blir varmare och då ökar Rdson så att strömmen genom den transistorn minskar=blir lite svalare. Det är självreglerande.

Detta funkar inte på vanliga BJT transistorer.

Protte

v-g · Inlägg av **v-g** » 28 december 2008, 15:09:01

Angående hög effekt genom tunna trådar så kommer nog de flestas ström här genom betydligt tunnare trådar än en mm² iaf en kort bit (säkringen). Även en 25A säkring är väldigt tunn där den ska smälla av.

Det går alltså att ha tunnt en kort bit om man vet vad man gör, under rimliga gränser.

jesse · Inlägg av **jesse** » 28 december 2008, 17:35:22

En annan fördel med att parallellkoppla MOSFET är ju att de har en spcifik Ron, inte specifik lägsta spänning över D-S till skillnad mot bipolära transistorer. Det betyder att du minskar spänningen över transistorerna när du parallellkopplar och därmed även effekten. Ett exempel:

Du kör 80A genom en MOSFET som har Ron = 0.025 Ω . Då blir Uds = 2V och förlusteffekten 160 W vilket är väldigt mycket.

Ta 2 st av samma parallellkopplat och du får Ron = 0.0125 Ω , U blir 1V och förlusteffekten bara 80W som fördelas på två transistorer, dvs bara 40W per transistor.

4st av samma MOSFET ger en förlust av bara 40W - dvs bara 10W per transistor.

Matte · Inlägg av **Matte** » 28 december 2008, 17:46:24

v-g: även bond trådarna i chippet är tunnare.

Då man kollar på lågspända fet (under 100V) för stora strömmar 150A+ är det istortsett alltid SMD som gäller iom att kislet börjar bli så bra tillför ben+ bondtrådar i en HM krets rätt mycket på Rdson(procentuellt sett).

Jag skulle kolla på ungefär 80A fetar för 40A last då 80A oftast e räknat både med medvind och nedförsbacke(typ oändlig kylfläns).

Lite beroende på vad du ska göra men så lågt rdson som möjligt är inte alltid optimalt vid högre swichfrekvenser. Ett lägre rdson medför alltid högre Qg(inom samma teknologi) alltså lägre ledningsförluster(Rdson) ger högre swich förluster(Qg mm.). Har man en applikation som går i under ~10kHz behöver man oftast inte bry sig lika mycket om Qg men pratar vi höga frekvenser(typ 100kHz+) så kan det vara en svår balansgång.

Jag skulle troligen satsat på 2x40A då det är lättare med kylning och design då strömmarna delas mellan de olika trissorna.
alternativt en modul då du kan skruva fast kablarna, men dessa är mycket dyrare och kan vara svårare att få tag på.

jesse · Inlägg av **jesse** » 28 december 2008, 18:11:32

>80A oftast e räknat både med medvind och nedförsbacke(typ oändlig kylfläns).

Jag har lärt mig att den siffran är ganska ointressant. Den kan ge en hint om vad transistorn tål, men du kommer aldrig i närheten av det. Men istället för att gissa (typ kör halva strömmen så går det kanske bra) så gör en ordentlig effektförlust och temperaturavledningsberäkning - - testa först med lägre strömmar och mät temperaturer... (det går att räkna ut ungefär vilken temperatur kylflänsen får ha max precis vid transistorns kapsel - försök mäta där om du inte kan mäta temp direkt på kapseln)

kimmen · Inlägg av **kimmen** » 30 december 2008, 15:36:33

Stämmer, den är ganska ointressant den siffran, effektförlusten sätter oftast stopp före.

Rds(on) får man kolla på och räkna ut effektförlusten. Men glöm inte att Rds(on) kan vara 1,5-2 ggr rumstemperaturvärdet vid drifttemperatur!!! (se kurva i databladen)

Sen blir det ju switchförluster. Vid dessa höga strömmar är det också av yttersta vikt att minimera läckinduktanser i de switchande slingorna för all energi som lagras där blir värme i transistorerna eller snubbers!

laban12 · Inlägg av **laban12** » 30 december 2008, 18:51:20

Ja det som blueint säger att om en har lägre Rds(on) än de andra får den ta hela lasset stämde väl bara på gamla trissor? Någon obehaglig strömrusningseffekt som kunde uppkomma?

Jag parallellkopplar alltid MOSFET, av tre anledningar vilka samtliga har tagits upp här!

1) Överdimensionering. Klarar en jobbet tar jag två likadana och får bra marginal.
2) Större yta mot kylflänsen och mindre förlusteffekt i varje FET, win - win!
3) Lägre totat Rds(on)

kimmen · Inlägg av **kimmen** » 1 januari 2009, 05:16:40

Bottnar man FET:arna ordentligt så är det rätt så självbalanserande då resistansen ökar markant med ökande temperatur. Däremot att försöka parallellkoppla vanliga FET:ar och köra dem linjärt är ingen höjdare då Vgs(off) sjunker kraftigt med temperaturen.

Glenn · Inlägg av **Glenn** » 3 januari 2009, 03:57:51

Detta var som sagt mer komplicerat än jag först trodde, men jag är glad att jag ställde frågan här, det har varit väldigt intressant att läsa.

Det var exempelvis kul att få en förklaring till varfär dom "bästa" FET'arna var ytmonterade normalt sett, vilket jag ju inte vill ha när jag labbar.

Jag har nu beställt lite olika, men jag tror mest på "STB100NF03L - N-Channel 30V - 0.0026Ohm - 100A", som jag tänkte ta dubbla av då.

Tyvärr kommer dessa i "D2PAK" aka TO-263, jag hade hellre tagit TO-220, då dessa verkar knöligare att montera så man får nån vettig kylning.

Beställde även en del andra så jag kan labba lite med olika setuper. i början kan man ju ta en dummylast, typ billampa så det inte brinner lika våldsamt om det går snett hehe.