Svenska ElektronikForumet

Jag skall till och bygga en liten förstärkare, och tänkte använda mig av en design ur AOE. Problemet är bara det att det är helt jävla omöjligt att hitta komponenterna. Så, just nu funderar jag om man kan ersätta en BUZ23 med en IRF540:a (Enligt vissa scheman så är IFR130:an en ersättare för BUZ23:an, och 130:an är vad jag kan se ganska lik 540:an)

Jag kommer att ha flera såna här frågor, så vi tar allt i denna tråden...

Nå, designbyte, mycket delar som var svåra att få tag på...

Nu kommer en till fråga. Är det nån skillnad på om jag byter mig upp i en och samma transistorserie till trissor med högre spännings och effektrating?

Tänkte lite på en sådan som finns beskriven i denna pdf
http://www.elfa.se/pdf/73/731/07312176.pdf

I kretsexemplet med powerdarlingtons.

Sedan så är ju frågan om man behöver två kanaler då jag skall använda den till elbas, men man kan väl köra samma signal in och sedan köra två mono ut istället. Eller kan man brygga också utgående signal in i en och samma högtalare?

"Sedan så är ju frågan om man behöver två kanaler då jag skall använda den till elbas"

En bas har ju (i 99% av fallen) bara en utgång, så då räcker det ju vanligtvis med en ingång. Jag har inte kikat på schemat, men om du t.ex kan ha olika inställningar för de olika ingångarna så kan det vara bra att behålla båda ingångarna så att det blir lättare att snabbt byta inställningar.


"men man kan väl köra samma signal in och sedan köra två mono ut istället. Eller kan man brygga också utgående signal in i en och samma högtalare?"

På vissa förstärkare kan man bryggkoppla utgångarna. Det beror lite på hur den är konstruerad. Men om impedans och effekt på ena utgången är tillräckligt för en högtalare så räcker det ju att köra med en utgång.

Som sagt behöver du nog bara en kanal om du skall använda den till Elbas.

Är det nån skillnad på om jag byter mig upp i en och samma transistorserie till trissor med högre spännings och effektrating?

Högre spänning är ingen fara att gå upp i. Däremot måste man hålla koll på att parametern hFE är samma som den föreslagna vilken oftast sjunker med högre effekt. Och inte bara det tryckta värdet utan även kurvan hFE vs. Ic som skall vara så linjär som möjligt. Detta är viktigt i utgångssteget. I ingångssteg är det inte lika kritiskt..

Lånar tråden lite och passar på att ställa en fråga om Mosfetar i utgångssteg som jag inte riktigt fattat än:

BJTs i utgångssteg är ju bara spänningsföljare, dvs på emittern hamnar i princip den spänning man lägger på, på basen och sen driver den spänningen en belastning och sänker ström genom trissorna. Men MOSFETAR?
Spänningen på Sourcen är ju inte kopplad på gaten på alls samma sätt. Kan tänka mig att det i terorin funkar såhär:

Gatespänning läggs på (säg 3V) vilket öppnar mosfeten lite halft, vilket tillåter en viss ström, säg 1A genom sig själv och detta i sin tur "ger upphov" åt ett spänningsfall över belastningen (I*R), till skillnad från BJT:n som istället skickade på en spänning . Vad jag inte kan placera i bilden i fall det är så är att MOSFET:en blir väl fruktansvärt olinjär i volymkänslighet med tanke på att 5V på gaten öppnar ner i princip helt? och 0.1-1V helt cutoff? Och sen kan man inte driva den mer än upp till en 10V? Kanske är därför jag sett att man har zenerdioder mellan G-S på vissa stärkare..

Hoppas nån kan förklara.

Stuggi: När det gäller mosfetarna skulle jag gissa att det går att byta ut till det mesta som tål strömmen och spänningen. IRF540 och iRF9540 har jag använt själv med lyckat resultat.

Fritz: Det är samma princip som varför en emitterföljare fungerar som den gör. Tänk på att du ofta försummar basströmmen. En BJT utan basström är i princip en mosfet med "tröskelspänning" på 0.7V

Som ett praktiskt exempel, ta IRF540. I databladet finns en kurva som visar att Vgs = 4.5V ger Ids = 7A. Anta att du driver en last som du vet aldrig kommer att dra mer än 7A, då vet du att Vgs aldrig kommer att överstiga 4.5V (Varför?). Du vet även att tröskelspänningen är mellan 2V och 4V, låt oss säga 3V för enkelhets skull. Detta säger dig att Vgs kommer att ligga mellan 3 och 4.5V i samtliga fall då du driver din last. Maximala diffen mellan fullt på och fullt av är bara 1.5V.

Slutsatsen blir att sourcen kommer att följa gaten sånär som på en offset på 3.75V och mellan maxlast och olast fås en diff på +-0.75V. En last som drar 7A är ju lite våldsam, om du driver en lättare last blir diffen mindre (eftersom det gör att Vgs blir lägre än de 4.5V i exemplet)

Mosfetar HAR dock större "diff" än BJT som bara diffar mellan säg 0.6 och 1V under samma förutsättningar. Detta gör att mosfets sourcföljare har lägre spänningsförstärkning än BJT förstärkare. Matar du in 1V sinus till en BJT följare får du ut kanske 0.98V sinus. Samma sak i en mosfet dito blir gissningsvis 0.85V sinus ut. (Notera att detta INTE påverkar volymen i din förstärkare eftersom den sätts av feedbacken)

Varför skulle man inte kunna driva gaten mer än till 10V?. Själva potentialen på gaten är ointressant, det är Vgs som inte får överstiga ett visst värde. Eftersom sourcen följer gaten (sourceföljare) så kan du ha 50V på gaten så länge sourcen inte jordas utan ligger mot last och tillåts följa med.

Okej, efter många omläsningar hängde jag med på ungefär hälften av det där

Som ett praktiskt exempel, ta IRF540. I databladet finns en kurva som visar att Vgs = 4.5V ger Ids = 7A. Anta att du driver en last som du vet aldrig kommer att dra mer än 7A, då vet du att Vgs aldrig kommer att överstiga 4.5V .

Okej, säg att jag slänger på 10V på gaten i detta fall. Säg att vi matar med 7V på 1Ω last då..
Då kommer helt enkelt 10-4.5 hamna över ett eventuellt gatemostånd? Säg att det är 100Ω. Vart kommer den strömmen ta vägen som då tvingas genom motståndet? 5.5/100? Eller kommer det gå nån ström där öht?

Du vet även att tröskelspänningen är mellan 2V och 4V, låt oss säga 3V för enkelhets skull.

Ja.

Detta säger dig att Vgs kommer att ligga mellan 3 och 4.5V i samtliga fall då du driver din last. Maximala diffen mellan fullt på och fullt av är bara 1.5V.

Vad menar du med att Vgs kommer ligga mellan 3 och 4.5 i samtliga fall? Är med på att det inte kan bli mer än 4.5 men man kan ju lägga på mindre än 3Vgs? Eller menar du att det "aktiva" spelet ligger mellan 3V (cutoff) och 4.5V(sat)? Isåfall svänger alltså förstärkarsteget mellan max och min volym med ett sving på 1.5V i utgångssteget? Hur i hela friden går det ihop?

Varför skulle man inte kunna driva gaten mer än till 10V?.

Juste, insåg det nu. Men varför har man då zenerdioder mellan gate och source? Vad kan orsaka att den blir större än 10-15V?
edit: Kom på att detta kan ju hända om man skulle klåpsa sig med biasjusteringen i "DC"läge hehe

Slutsatsen blir att sourcen kommer att följa gaten sånär som på en offset på 3.75V och mellan maxlast och olast fås en diff på +-0.75V.

Det där hängde jag inte med på...

edit: Har kikat lite på det här schemat. Om man räknar med återkopplingen, säg att förstärkningen ligger på 22ggr. 1VDC läggs på på ingångssteget. 22V hamnar på utgången. Återkopplingen styr ju att det aldrig blir mer än 22V på utgången, vilket ger upphov åt en ström genom lasten viilket styr upp en Vgs?. Alltså kommer Vgs tvigas bli något pga strömmen och sen hamnar spänningsöverflödet över gatemotståndet? Eller kommer Vgs bli exakt den spänning som enligt kurvan motsvarar strömmen? Hur funkar det isåfall om man inte har nån last? Kommer trissan strypa preeciiiiis så mycket att rätt spänning hamnar på sourcen?

Sen skulle jag gärna reda ut en definitionsfråga som uppstår: Styr Ids Vgs eller Vgs Ids?

Edit2:
Har labbat lite nu och insett att rent principiellt styr återkopplingen Vgs så fruktansvärt precis att Vs stämmer precis. Däremot har jag lite svårt att inse att Vs teoretiskt sett följer Vg med ett spänningsfall på Vgs

Vi kan fortsätta Här så vi inte tar över tråden totalt. Tack för lånet Stuggi

Ok!

pagge skrev:Vi kan fortsätta Här så vi inte tar över tråden totalt. Tack för lånet Stuggi

Np, jag lärde ju mig nåt