Re: Reperation samsung s27d850t
Postat: 12 maj 2020, 14:25:51
Som sagt transistorn KF12N60Fsom är kortsluten har dessa egenskaper:
·VDSS=600V, ID=12A
·Drain-Source ON Resistance : RDS(ON)=0.6Ω(Max) @VGS=10V ·Qg(typ.)= 36nC
Jag har hittat denna på Elfa STP26NM60N - MOSFET, N-kanal, 600V, 20A, 140W, TO-220AB, ST som har dessa egenskaper:
Kontinuerlig drain-ström (Id) 20 A
Drain-source-spänning (Vds) 600 V
PÅ-motstånd (Rds(on)) 135 mOhm
Den har ju högre Id vilket bör bara vara bra. Men ska jag även satsa på en som har högra Vds? T.ex. 800V men 17.4A?
·VDSS=600V, ID=12A
·Drain-Source ON Resistance : RDS(ON)=0.6Ω(Max) @VGS=10V ·Qg(typ.)= 36nC
Jag har hittat denna på Elfa STP26NM60N - MOSFET, N-kanal, 600V, 20A, 140W, TO-220AB, ST som har dessa egenskaper:
Kontinuerlig drain-ström (Id) 20 A
Drain-source-spänning (Vds) 600 V
PÅ-motstånd (Rds(on)) 135 mOhm
Den har ju högre Id vilket bör bara vara bra. Men ska jag även satsa på en som har högra Vds? T.ex. 800V men 17.4A?