Svenska ElektronikForumet

psynoise skrev:

psynoise skrev:Man borde kunna bygga ihop en enkel brytare kring en FET-transistor, kan själv inte se varför man inte skulle lyckas att fixa en krets men tillräckligt låg distorsion.

Tittade på det igår kväll, dock tog det inte många minuter att inse att det inte var så enkelt. Resistansen Rds mellan drain och source är beroende av spänningen Vgs mellan gate och source, detta medför att Rds är beroende av inspänningen eller spänningen Vds mellan drain och source vilket gör hela kretsen olinjär.

Tyvärr klarar bara cmos-kretsarna 4016/4066 ±7,5 V, men har dessa några andra problem som man borde se upp med?

Jag hittade precis det här på diyaudio:
"On a related topic, have you tried discrete JFETs? I knocked together a sim using a PMBFJ176 and a PMBFJ112 back-to-back, and was very happy with the results. I found using N and P channel devices cancelled out much of the charge injection when switching, and reduced the distortion significantly.

I simulated a differential seven stage attenuator using no less than 21of these, and managed 0.0002% THD at 1KHz."



http://www.littlefishbicycles.com/misc/attenuator.gif (Bild på hans dämpare, länk pga. mer än 700px bred)

Att switcha med så låg THD på ett så enkelt sätt låter ju för bra för att vara sant. Simuleringar och verklighet hänger ju inte alltid ihop men det är ju klart intressant att titta närmare på eller vad säger ni?

Det ser fint ut på "pappret", kul att se om det funkar lika bra också i verkligheten(tm)
Jag har ett AP-system att mäta med om du bygger och vill testa, bara att komma förbi!

Tyvärr tror jag inte ovanstående schema fungerar med diskreta transistorer då tröskelspänningen kan skilja ganska bra mellan olika exemplar. Dock fungerar det säkert bra i SPICE samt i en integreradkrets då man kan tillverka nästan två identiska transistorer.

SSL använder J112 (FET) som switch på ganska många ställen i sina bord. Du kanske kan kika på ett av deras scheman och se hur de har gjort.

Om du vill kan jag maila det till dig.

Från SSL till SPL.
SPL brukar förstärka upp signalen till 120V för att få högre dynamik och lägre distorsion.
Det kanske kan vara en idé för att får fler valmöjligheter när det gäller att hitta rätt switch-metod?
(Nu måste man ju inte använda just 120V. Tillochmed 30V är ju en enorm skillnad mot vanliga line-nivåer.)

Tyvärr har jag inte haft tillfälle att kika i någon burk, så jag vet inte vilken typ av switchar de använder.

Du får gärna maila schemat!

Jag tror jag har några tusen J109 och/eller j112 i mitt förråd om du vill matcha!

Ok, PM'a din mail adress.

SSL använder något liknande schemat under.

Om man väljer en fet-transistor med lågt Ron = MIN(Rds) borde man kunna få spänningen Vgs oberoende av Vs, vilket borde minska olinjäriteten.

Har inte hunnit kolla på SSL-schemat än, men gjorde en egen simulering med JFET:arna från diyaudio-exemplet.
Fick <-100dB THD men dämpningen blir "bara" 71dB.
Det här borde man testa skarpt. Det är ju en väldigt simpel koppling...

EDIT: Testade två transistorpar i serie och fick fortfarande THD <-100dB men dämpningen blev 112dB. Det måste absolut verifieras i praktiken!

Kolla den här artikeln ur AudioXpress!!!!
http://www.audioxpress.com/magsdirx/ax/ ... an2719.pdf

Tänkte cadda upp ett testkort för den här kopplingen nu om ingen har några konstruktiva synpunkter innan jag sätter igång...

Varför två FETs?

Killen som kom med idén att använda just dessa JFETar sa att N och P tillsammans tog ut vissa olinjäriteter så att distorsionen sänktes, men han hade ju simulerat fram det så det återstår att se om det behövs i praktiken. Jag tänkte göra mätningar utan att löda dit Q2 till en början.

Vanligen används MOS-FET så som du kopplat.