Svenska ElektronikForumet

Sen kan det var kul att veta vad den där magneten gör.
Vad som händer rent mekaniskt.
Kanske hänger en stor kläpp / kolv / metallklump på den som orsakar en extra impuls?
En bild kan säga mycket.

Det är en vanlig hydraulisk magnet för att röra en slid hos en ventil. Inget speciellt.
Men jag ska testa koppla på en diod, men jag tror att den brinner upp på grund utav att denna N-kanal Mosfet blir väldigt varm.

Driver du 5Ω vid 24V och RDSon är 24mΩ får jag det till 0,55W över transistorn när den leder, det borde den klara även "luftkyld".
Utan diod kan det blir flera hundra volt (minst) när transistorn stängs av, och om transistorn "kapar" toppen vid säg 100V så behövs det inte så jättestor ström för att det skall bli ett antal watt just då.

Nu när du säger det. Jag behöver inte mer än en mosfet som kan skicka igenom 2A. Då blir jag nöjd.
Otroligt bra video. Bra förklarat. Jag visste om att en spole genererar en transient, men kände inte till att transienten kunde gå i strömmens väg också. Trodde den bara gick i motströmmens väg.

Alltså betyder det att jag kan använda en sådan mosfet istället om jag inte tänker köra igenom mer än 2A?

https://www.mouser.se/datasheet/2/258/S ... 510884.pdf

Troligen, men du måste fortfarande ha en diod vid din induktiva last, annars kommer du elda upp vilken MOSFET som helst.

Alltså, i ditt fall är det inte strömmen som dödar din mos-fet i N-kanalsutförande (inte NPN) utan spänningsspikarna så du kan förmodligen använda den transistor du har. Sen så skulle jag bytt gatemotståndet till ett mer lågohmigt och satt ett till motstånd mellan gate och minussidan. (10-100 kohm tex) För att säkerställa att gatespänningen verkligen går ner vid off. Nu vet jag inte men jag gissar på att du ofta har en processor framför som driver mos-fet:en och du brukar ju ha ST-serien som drivs på 3,3 volt. I så fall blir en viktig parameter för dig att kolla så mos-fet:en är tillräckligt bottnad vid 3,3 volt. (det kanske du har koll på)
Bra att veta är även att: fast transistorn är "gjord" för tex 5 eller 3,3 volts logik så är dom inte fullt bottnade ändå. Om en transistor tex klarar 49 Amp så skall gatespänningen vara i det närmaste 20 volt, vid 5 volt klarar dom bara hälften ström, detta har jag själv fått erfara... När man tittar på PSMN025-80YLX som benämns som "Logic level gate operation" klarar "bara" lite över halva strömmen vid ca 3,3 volt, den behöver ca 10 volt för att närma sig topström. I ditt fall Daniel så tror jag det är ok oavsett...

Sen en annan grej jag läste från dig och så inga missförstånd råder: Den här skyddsdioden sk "snubber" skall sitta bakvänt, den skall alltså inte leda när du belastar spolen med mos-fet:en....

Den lilla tål varken ström eller effekt. 24V och 5 ohm ger ju 4,8A. Det ger 2,4W i 105 mohm.
Dessutom så är maxeffekten som anges i databladen för båda MOS-fetarna om kapseln är teoretiskt korrekt fastlödd på en yta som håller en konstant temperatur av 25 grader oavsett effektutvecklingen.
Sen tittar jag på din simuleringsbild och förstår inget. Du får 1,6A med 5 ohm.

agehall skrev: ↑31 mars 2022, 02:25:08 Troligen, men du måste fortfarande ha en diod vid din induktiva last, annars kommer du elda upp vilken MOSFET som helst.

Det ska jag testa idag.

Janson1 skrev: ↑31 mars 2022, 08:18:44 Alltså, i ditt fall är det inte strömmen som dödar din mos-fet i N-kanalsutförande (inte NPN) utan spänningsspikarna så du kan förmodligen använda den transistor du har. Sen så skulle jag bytt gatemotståndet till ett mer lågohmigt och satt ett till motstånd mellan gate och minussidan. (10-100 kohm tex) För att säkerställa att gatespänningen verkligen går ner vid off.

Nu vet jag inte men jag gissar på att du ofta har en processor framför som driver mos-fet:en och du brukar ju ha ST-serien som drivs på 3,3 volt. I så fall blir en viktig parameter för dig att kolla så mos-fet:en är tillräckligt bottnad vid 3,3 volt. (det kanske du har koll på)

Du menar en pulldown på gate? Det har fungerat för mig riktigt bra utan pulldown.

Bra att veta är även att: fast transistorn är "gjord" för tex 5 eller 3,3 volts logik så är dom inte fullt bottnade ändå. Om en transistor tex klarar 49 Amp så skall gatespänningen vara i det närmaste 20 volt, vid 5 volt klarar dom bara hälften ström, detta har jag själv fått erfara... När man tittar på PSMN025-80YLX som benämns som "Logic level gate operation" klarar "bara" lite över halva strömmen vid ca 3,3 volt, den behöver ca 10 volt för att närma sig topström. I ditt fall Daniel så tror jag det är ok oavsett...

Det fungerar för mig. Men tack för informationen. Jag tolkar som att 2.1V är max på brytgränsen hos denna mosfet.

Janson1 skrev: ↑31 mars 2022, 08:22:14 Sen en annan grej jag läste från dig och så inga missförstånd råder: Den här skyddsdioden sk "snubber" skall sitta bakvänt, den skall alltså inte leda när du belastar spolen med mos-fet:en....

Jo, men det känner jag till. Har även kablar som vi kallar för "gnistsläckare" som har en bakvänt diod för spolar.

Pucco skrev: ↑31 mars 2022, 08:39:20 Den lilla tål varken ström eller effekt. 24V och 5 ohm ger ju 4,8A. Det ger 2,4W i 105 mohm.
Dessutom så är maxeffekten som anges i databladen för båda MOS-fetarna om kapseln är teoretiskt korrekt fastlödd på en yta som håller en konstant temperatur av 25 grader oavsett effektutvecklingen.
Sen tittar jag på din simuleringsbild och förstår inget. Du får 1,6A med 5 ohm.

Jag tänker byta ut min mosfet till någon som har något högre effekt. Förhoppingsvis samma kapsel.
Typ en sådan NTF3055L108T1G: https://www.mouser.se/datasheet/2/308/1 ... 318842.pdf

Sedan får jag väll ha PTC motstånd som hindrar mig att köra igenom mer än 2A.

Det är Falstad simulering. Enkelt, men lite knasigt

Du menar en pulldown på gate? Det har fungerat för mig riktigt bra utan pulldown.

Uppenbarligen har det inte fungerat bra.

Du behöver driva mosfeten snabbt och hårt, där är en pulldown en del i att snabbt ta bort laddningen från gate och få snabbt omslag när du slutar mata spänning till den. Så hög spänning som möjligt på gate behövs också, givetvis inom spec.

Sedan en frihjulsdiod över spolen.

Menar du att jag ska göra något liknande?

Varför gör du inte som du blir tillsagd i stället.
Dessutom är det väl tveksamt med den mosfeten i 3V applikationer.

Den koppling gör det än sämre. Det finns drivkretsar för detta men de kör oftast på 12V då man brukar styra kraft-MOSFET med Vgs på 10-12V.

Du behöver att driva gaten med mer än 3,3V och du MÅSTE montera en snubber över spolen.

Men detta är design-kännedom på lågt nivå...

DanielM skrev: ↑31 mars 2022, 11:28:35 Det fungerar för mig. Men tack för informationen. Jag tolkar som att 2.1V är max på brytgränsen hos denna mosfet.

2,1V är ju när det garanteras 1 mA drivförmåga och inte att den är helt på. MOS-feten är garanterad att ge 27mohm vid 5,0Vgs och 25mohm vid 10Vgs för variation av alla övriga parametrar som exempelvis tillverkningstoleranser, temperatur mm. Att ha under 5,0Vgs är en chansning för den här MOS-feten.

TomasL skrev: ↑31 mars 2022, 12:02:12 Varför gör du inte som du blir tillsagd i stället.

Har han någonsin gjort det?