Svenska ElektronikForumet

RDSon är specificerad vid 10V så 12V räcker för att hålla mosfeten inom specifikationerna. Sen hänger det ju som sagt på hur snabbt du ska switcha.

C1 vad är den tänkt att göra?
Det den gör (åtminstone) är att öka strömmen vid switchningen och gör att omslagen går långsammare.

Zenerdioderna, sitter inte dessa åt fel håll, eller vad är de tänkt att göra?

Så ser timern ut, redigerat klipp från original schemat (copyright på hela schemat)

Fet steget ska driva ett gnistgap ( som i sänkgnist ) och detta är den negativa sidan dvs arbetsstycket som utgången från fet steget ska till, en kraftig diod ligger i serie till arbetsstycket.
Positiva sidan har ett R/C nät till elektroden.

Ifall du vill minska påslagstiden kan du sänka gateresistorn istället för att höja gatespänningen. Det är antagligen en bättre lösning, eftersom att avslagstiden blir högre med högre gatespänning.

Här kommer ett korrigerat schema med Zenerdioderna 'rätt' kopplade och kondingens värde

bearing skrev:Ifall du vill minska påslagstiden kan du sänka gateresistorn istället för att höja gatespänningen. Det är antagligen en bättre lösning, eftersom att avslagstiden blir högre med högre gatespänning.

OK, så de nuvarande 10R bör jag sänka till ?R med de kraftigare fettarna FDH44N50.

Kondingen parallellt med gate-drivaren tycker jag inte ska vara där.

Gaten på FDH44N50 behöver laddas med ungefär dubbelt så hög laddning som gaten på IRF640, så en halvering av gateresistorn kan vara lämplig.

Kan du förklara så en oskolad som jag kan förstå kondingens vara eller inte vara i den kopplingen.

För att den gör, som jag skrev tidigare, att switchtiden blir ännu långsammare.
Gaten på en mosfet är ungefär som en kondensator, ju högre kapacitans ju längre tid tar det att ladda upp/ur den och omslagen tar således längre tid. Lägger du då till ytterligare en kondensator, som dessutom är stor (0.1uF?) i jämförelse med gatekapacitansen, blir omslagen ännu långsammare.

Tack Borre, nu ramlade poletten ner. Då jag får ihop det hela så ska jag ha en omkopplare för kondingen och se vad konstruktören har fått för effekt med denna. Kan ju vara nåt 'fenomen' som han korrigerat med kondingen. Svårt att sia då jag inte har gnistat nåt ännu.

Mera ström? Finns det som säger att byta trissor? NPN600mA/PNP800mA klarar ju de som finns på schemat.

Du skulle kunna använda en IC gjord för att driva FET.

Någon speciell krets du har i tanke för ändamålet?

Tex: 73-267-97 Den "sänker" med 5A.
Klickar du på "Bryggdrivkretsar" på sidan ovan kommer det fram en massa kretsar för detta.

En del gate drivers har relativt hög ON-resistans vid påslag, så man får kolla i databladen.

Annars tipsar Honk om transistorer i totempole-koppling här:
http://www.elektronikforumet.com/forum/ ... 01#p754401