Svenska ElektronikForumet

Försöker PWM-styra en FET och jag förstår inte riktigt vad som händer här.. Gul signal är utsignalen från mcu:n (aktiv låg), blå är gatespänningen på FETen. Att stigtiden är så långsam antar jag beror på att R3 är för stor relativt transistorns gate charge. (Qg=238nC vid 10V Vgs enligt databladet. Ingen aning om det är mycket eller litet). Men vad beror "knäet" vid 5V på? Om jag kopplar ur lasten, en 12V datorfläkt (90mA), så försvinner det och det blir en rak / linje.

Edit: följdfråga ang. R3; Hur mycket ström vågar man köra genom en 2N3904 innan den blir för varm?

Knäet är helt normalt. Ofta kallat "Miller plateau" från Miller effekten. Detta uppkommer eftersom kapacitansen mellan gate och drain är olinjär. Enkelt kan man tänka sig att att gate source-kapacitansen laddas upp fram till knäet, medan gate drain-kapacitansen laddas upp i knäintervallet.

EDIT: Förtydligande.

Mr Andersson skrev:följdfråga ang. R3; Hur mycket ström vågar man köra genom en 2N3904 innan den blir för varm?

Utan att bejaka de termiska egenskaperna hade jag vågat köra på med halva märkströmmen eller märkeffekten.

Maximal ström får du via 12 V över R3 samt gånger roten ur maximal pulsbredd. Maximal effekt får du via maximal ström och kollektoremiiterspänning i bottnat tillstånd (saturation). Kollektoremiiterspänning hittar du i transistorns datablad.

Men för mer precisa beräkningar använd gärna SPICE.

EDIT: Förtydligande.

Qg på 238nC får ses som ganska högt, lågt istället skulle jag säga ligger på ett tiotal nC.

Har du en pnp-transistor att använda kan du göra på det här viset: Då både laddar du upp och ur gaten snabbt och kan anpassa gateströmmen med R5. Anpassa övriga motstånd så det passar.