Distorsion från bipolartransistor i highside-brytare
Postat: 9 juli 2016, 13:54:23
Introduktion
Har långt tillbaka läst på olika håll att signalbrytare för analoga signaler är svårt att implementera med bipolartransistorer. Det jag har funnit är att kollektoremitterspänningen i bottnat läge är beroende av kollektorströmmen i ett icke linjärt förhållande.
I integrerade kretsar har MOSFETs kopplade antiparallellt varit populärt då n-kanals och p-kanals påresistans (R ON) jämnar ut varandra. Dock används bipolartransistor för högre frekvenser.
Hur som helst är jag intresserad av att implementera en brytare med bipolartransistor i kopplad i serie (high side) för audio signaler. Bipolartransistor har valts för att de är enkla att driva samt borde ha större dynamik mellan av och på jämfört med MOSFET.
Målet är att få till något med SOT23-kapsel eller liknande. Highside-brytaren är tänkt senare kompletteras med en lowside-brytare för att få till riktigt stor dämpning, önskat större än -100 dB.
Analys med Ltspice
Figur 1: R_source modellerar sämsta tänkbara källresistans för insignalen. PNP-transistorn har basströmmen 1 mA för att garantera låg kollektoremitterspänning. Strömkällan I_OP_bias modellerar typisk biasström hos en operationsförstärkare med bipolartransistoringång.
Figur 2: Inga frekvenskomponenter förutom signalen på 1 kHz syns över simuleringens brusgolv runt -170 dB.
Frågeställning
Med det goda simuleringsresultat blir jag osäker på vad som kan ha missats. Tyvärr har jag ingen utrustning hemma för att mäta på dessa låga nivåer i verkligheten. Men vad kan jag ha missat som kan bidra till distorsion som inte syns i simuleringen?
Har långt tillbaka läst på olika håll att signalbrytare för analoga signaler är svårt att implementera med bipolartransistorer. Det jag har funnit är att kollektoremitterspänningen i bottnat läge är beroende av kollektorströmmen i ett icke linjärt förhållande.
I integrerade kretsar har MOSFETs kopplade antiparallellt varit populärt då n-kanals och p-kanals påresistans (R ON) jämnar ut varandra. Dock används bipolartransistor för högre frekvenser.
Hur som helst är jag intresserad av att implementera en brytare med bipolartransistor i kopplad i serie (high side) för audio signaler. Bipolartransistor har valts för att de är enkla att driva samt borde ha större dynamik mellan av och på jämfört med MOSFET.
Målet är att få till något med SOT23-kapsel eller liknande. Highside-brytaren är tänkt senare kompletteras med en lowside-brytare för att få till riktigt stor dämpning, önskat större än -100 dB.
Analys med Ltspice
Figur 1: R_source modellerar sämsta tänkbara källresistans för insignalen. PNP-transistorn har basströmmen 1 mA för att garantera låg kollektoremitterspänning. Strömkällan I_OP_bias modellerar typisk biasström hos en operationsförstärkare med bipolartransistoringång.
Figur 2: Inga frekvenskomponenter förutom signalen på 1 kHz syns över simuleringens brusgolv runt -170 dB.
Frågeställning
Med det goda simuleringsresultat blir jag osäker på vad som kan ha missats. Tyvärr har jag ingen utrustning hemma för att mäta på dessa låga nivåer i verkligheten. Men vad kan jag ha missat som kan bidra till distorsion som inte syns i simuleringen?