Svenska ElektronikForumet

Hej,

Upplever samma sak nu med en NE555:a som en µC och vore hemskt tacksam om jag bara kunde få en förklaring på vad som händer.
Första gången var en µC där jag lyckats dra för hög ström genom utgången och nu en NE555 där jag lyckades kortsluta utgången.
Det jag är undrande över är att i båda fallen så har jag både kunnat proba med skopet och mäta med multimetern och fått min signal/värde men så fort jag lägger en belastning på utgången (väl inom spec) så sjunker spänningen till näst intill 0.

I mitt fall är det givetvis bara att byta ut komponenten men det hade varit roligt att få en förklaring om vad som verkligen tar skada. Speciellt intressant när jag nu bevittnat detta på både en BJT och en CMOS-utgång.

EDIT: Med andra ord, vad händer med ett drivsteg när det kan belastas med 10M Ohm men inte med så mycket mer.

Min spontana tanke är nog att du lyckas skapa avbrott i push-transistorn i utgångssteget, och att någonting där inne drar signalen hög (om det är någonting som läcker igenom eller där faktiskt finns någon form utav pull-up-resistans parallellt), så att du i princip står kvar med en öppen kollektor-utgång med pull-up. Denna klarar såklart inte att driva någon vidare hög ström, och där med tappar du utspänningen direkt när du försöker dra någon nämnvärd ström.

Men det är alltså enbart en teori.

Edit: Du skulle ju kunna testa om du fortfarande kan trycka in ström upp till vad som är specat, genom att koppla en last ifrån Vcc till utgången och se till att en nolla ges ut.