Svenska ElektronikForumet

En IRFP260 (N Channel MOS FET) som mäter 0.448V öppningsspänning Source -> Drain men i alla andra kombinationer mäter avbrott (diodmätning).

Den kan man väl lätt döma ut som kass ?

Kortslut Gate-Source en gång innan du klassar den som kass, för multimetern
laddar upp kapacitansen mellan gate och source, är oxidskiktet helt så
fortsätter transistorn att leda efter du har tagit bort mätsladdarna. Den kan luras lite...
Sen beror det på hur hög spänning multimetern testar med, ifall den överskrider
tröskelspänningen då den börjar leda. Transistorn kan leda "halvbra" också.

Jag tycker då att det låter som att du mäter över body-dioden, dvs. ett helt normalt beteende för en frisk FET.

Fan det här var mer komplext än jag trodde.

Det är två likadana.

Om det kan vara till någon hjälp så har nummer två en annan öppningsspänning mellan samma pinnar 0.332V

Dom borde ju rimligtvis mäta lika i vilket fall eller ?

Jag tror jag fattar vad du menar Klas-Kenny.

Att mätvärdet kommer sig av skyddsdioden vilket är det enda som jag kan få att öppna med diod test på multimetern.

Det låter som det bästa sättet att verifiera om den är hel är att koppla den med en riktig gate spänning.
Diodtest duger inte typ.

Är jag rätt ute ?

du är nog rätt ute.
Den börjar öppna vid 2-4 volt på gaten.

lägg på en 9V spänning på gaten --> ska öppna (i båda riktningarna mellan source och drain)
kortslut gate och source ---> ska inte leda från drain till source.
---> fungerar!

Vid snabb felsökning kikar jag oftast endast på body-dioden. Är den hel antar jag att transistorn är hel också.

Det är ju en fördel också att gaten är isolerad. Ibland har jag sett att gaten läcker ström till driain och/eller source. Då är den kass.
Bör kunna mätas med MΩ-meter.

Bra tips, hade jag inte tänkt på.