MOSFET-gatedrivning
Postat: 6 oktober 2015, 19:48:26
Jag är lite sugen på att bygga en punktsvets för att svetsa nickelremsor mot batterier (för att bygga batteripaket av t.ex. 18650-celler). Jag tycker att denna design verkar genomtänkt och trevlig. Det är en "capacitive discharge"-svets, där en rejäl kondensatorbank (16 V, 1.1 F) laddas ur genom svetspunkten.
Dock har den ingen egentlig styrning; MOSFETarna triggas genom att en vanlig tryckströmbrytare skickar ström genom en diod till en liten kondensator, som sedan håller gate-spänningen hög tills kondensatorerna har laddat ur helt. Jag vill försöka designa en styrning med inställbar pulslängd (och gärna dubbla pulser vilket tydligen ska ge en finare svetsfog). Det handlar då om pulslängder på kanske 1-10 ms och strömmar på någon/några kA (fördelat på 16 MOSFETar, så säg 200 A/MOSFET max).
Så vitt jag förstår så finns det en del parasitkapacitanser på gaten som kan ställa till det genom att hålla MOSFETen i halvöppet läge längre än tänkt. Man bör därför ha en så lågimpediv gate-drivning som möjligt (se t.ex. denna application note). Samtidigt vill man kanske inte ha okontrollerat snabba switchningar, för att hålla EMI och induktiva spänningsspikar under kontroll? Man vill alltså styra gaten med en lågimpediv spänningskälla.
Jag har ritat ett par förslag och är intresserad av kommentarer. Jag har egentligen ingen aning om vad jag håller på med. Kommer dessa att fungera? Är det overkill? Annat att tänka på? Ingången till vänster är tänkt att styras med en signal som växlar mellan 0 V och 12 V ("av/på"); op-ampen är rail-to-rail; MOSFETen är en IRFB7430.
Först en push-pull-koppling med en strömbegränsande resistor på gaten. Totala gateimpedansen blir förstås >100 Ω: Andra förslaget är en spänningsföljare. Denna bör ha betydligt lägre gateimpedans, men kräver en ganska snabb op-amp (>> 5 V/µs):
Dock har den ingen egentlig styrning; MOSFETarna triggas genom att en vanlig tryckströmbrytare skickar ström genom en diod till en liten kondensator, som sedan håller gate-spänningen hög tills kondensatorerna har laddat ur helt. Jag vill försöka designa en styrning med inställbar pulslängd (och gärna dubbla pulser vilket tydligen ska ge en finare svetsfog). Det handlar då om pulslängder på kanske 1-10 ms och strömmar på någon/några kA (fördelat på 16 MOSFETar, så säg 200 A/MOSFET max).
Så vitt jag förstår så finns det en del parasitkapacitanser på gaten som kan ställa till det genom att hålla MOSFETen i halvöppet läge längre än tänkt. Man bör därför ha en så lågimpediv gate-drivning som möjligt (se t.ex. denna application note). Samtidigt vill man kanske inte ha okontrollerat snabba switchningar, för att hålla EMI och induktiva spänningsspikar under kontroll? Man vill alltså styra gaten med en lågimpediv spänningskälla.
Jag har ritat ett par förslag och är intresserad av kommentarer. Jag har egentligen ingen aning om vad jag håller på med. Kommer dessa att fungera? Är det overkill? Annat att tänka på? Ingången till vänster är tänkt att styras med en signal som växlar mellan 0 V och 12 V ("av/på"); op-ampen är rail-to-rail; MOSFETen är en IRFB7430.
Först en push-pull-koppling med en strömbegränsande resistor på gaten. Totala gateimpedansen blir förstås >100 Ω: Andra förslaget är en spänningsföljare. Denna bör ha betydligt lägre gateimpedans, men kräver en ganska snabb op-amp (>> 5 V/µs):