Men nu till mitt problem, transistorn(Q1) som reglerar laddningsströmmen blir överhettad. Kollade inte upp effektutvecklingen innan utan antog att referensdesignen borde fungera.
FZT948 klarar maximalt av att leda bort 3 W, om man kollar i databladet för LTC4060, s.15, ges att den maximal effekten för transistorn är:
PD(MAX) (W) = IMAX(VDD(MAX) – VBAT(MIN))
IMAX: 1 A
VDD: 5 V
VBAT: 2 V (antar att cellspänningen är 1 V vid urladdning)
1*(5-2) = 3 W
Är det inte lite märkligt att de använder en transistor som ligger precis på det maximala värdet eller är det något jag missuppfattat?
Funderar också på om det kan påverka att jag använder mig utav FZT949 istället för FZT948?
Tänkte testa att sänka laddningsströmmen något men tror fortfarande att värmeutvecklingen kommer att bli ett problem. Tar gärna emot tips på hur man kan förbättra värmeavledningen för en SOT223-kapsel
