Svenska ElektronikForumet

Hej!

Sitter och klurar lite EEVBlog-Dave's konstlast och tror att jag vill bygga en sån men ska försöka modifiera den.

Nedan är schemat när han använder en µC för styrningen medans han även gjorde en analog variant. Jag har inte bestämt mig än vilken väg jag vill gå utan måste få avklarat först om denna krets går att modifiera får att nå mina önskemål.
När jag vet att det går så ska jag sätta mig och räkna över hela kretsen.

Vad som nog kommer bli svettigt är att jag vill kunna belasta med 3A för en 12VDC matning men även kunna koppla in en mycket högre spänning, upp till 200VDC (!) men givetvis då inte med samma ström utan med så mycket effektförlust min kylning max kan bli av med.
Jag ska räkna mer på effekten senare men avgörande faktorn är om det ens är möjligt att dimensionera komponenterna till detta?

Som jag ser det så är det egentligen nMOSFET:en, op-amparna (U1 + U2) och effektresistorn R4 som jag behöver ta hänsyn till.
MOSFET:en har jag hittat en logiskt styrd som kan hantera spänningen och strömmen. Resistorn blir nog inte heller något problem men hur ska man lösa det op-amparna?

Som vanligt är jag tacksam för all feedback! Om det är lösbart på något sätt så ska jag som sagt göra en rejäl sittning och räkna på effekter, temperaturer och annat.

Kör med processor så du enkelt kan implementera display för spänning och strömmätning vid behov

Jo det var lite det. Tempmätning på kylflänsen med mera. Helt enkelt försöka få lite mer synliga parametrar.

finns högspännings opampar

en sak du kan göra, ha en omkoppling mellan analog och µc kontrollerar, så man kan köra bådadelarna om man känner för det

Jo det är sant, det hade man ju kunnat göra.
Ska klura mer sen när jag löst detta "lilla" problemet.

Högspännings op-ampar säger du... Jo jag hittade några igår men det verkar vara tufft med 5-200V. Tips mottages tacksamt.

Jag har funderat på att ha en "högspänningsbrytare" på den så man helt enkelt använder en krets för dessa laster men inte kommit längre än så.

tänkte fel

på den kopplingen behöver du inte ha ha hög spänning på opampen, den räcker med spänningen över motståndet + 10v eller så

Nej som sagt, det behövs inga högspännings-opamp. Inte "logik"-mosfet heller, se till att driv opampen med tillräckligt hög spänning så mosfet kan öppna ordentligt bara.

Du kan ju kolla in mitt projekt om du vill:
http://elektronikforumet.com/forum/view ... =3&t=69717

Hmm jaha.. Hmm... Bra, då vet jag att jag tänkt helt fel. Förhoppningsvis får jag ihop siffrorna med lite läsa och matte. Återkommer om ämnet!

Det var mig ett stiligt bygge Borre! Ser att du siktat lite högre när det gäller effekt. Jag tror jag kommer sikta på 60-80W.
Hoppas det går bra om jag ställer några frågor framöver?

Jag tror jag kommer beställa en sån här fläns med fläkt för att labba med. Slutligt kylelement är inte bestämt.
Matningen till kretsen blir nog 12VDC från väggvårta. Hur låter det? Tanken var just att ha en bra drivning till gaten samt möjligheten att köra fläkten på fullvarv.

Har även beställt 10-varvs pottar och även någon rotary encoder. Vet inte vad jag kommer välja men har någon pervers läggning till att vredet måste "kännas" rätt. Kanske blir det som avgör
Gillar verkligen ditt utdragbara vred... Ja, låter det förbli en öppen punkt!

Hmm kan undra... PWM eller DAC, intern eller extern ADC...
Några avgörande fördelar/nackdelar tycker ni?

Elektromagnetisk interferens?

Nu förstår jag inte. Du får gärna vidareutveckla.
Menar du att valen är olika EMI-känsliga?

PWM lär ge en massa branta flanker som ger upphov till radiostörningar. Din konstruktion klarar nog detta. Det är mer annan utrustning omkring som kan bli störd.

Knappast ett problem, tom helt ointressant skulle jag säga.

Jag använde extern ADC och DAC för att helt enkelt få högre upplösning.

Ja ställ frågor du.
Jag använder också 12V-väggvårta och driver opampen direkt med det, förutom lite filtrering. Fungerar bra och ger tillräckligt hög utspänning för att så gott som alla mosfet ska öppna ordentligt.

Dra mig baklänges vad jag har kört fast!
Jag har nog spenderat ett par timmar åt detta nu men får inte ihop matten med vad ni säger. Jag blir något otrolig tacksam om någon vill ta sig tid och förklara vad som händer.

Ni påstår att vid mosfet:ens source så kommer jag mäta en potentialskillnad på 4V mot jord. Det är om jag matar op-ampens icke-inverterade ingång med 4V.
Inte för att jag tvekar på att ni har rätt utan för att förstå mer så provade jag nedan krets i LTspice och självklart stämmer det ni säger;

200V på Drain
4V på Source
4V på + på op-amp

Det jag helt enkelt inte får ihop är att om mosfet:en är spänningsstyrd och styr strömmen genom DS, hur sker spänningsfallet mellan D och S? Om det blir ett spänningsfall på 4V över R1, var är dom resterande 196V? Inte kan dom brinna upp i mosfet:en, eller?

En annan sak som inte går ihop är att om det blir ett så drastiskt spänningsfall, behöver man då en mosfet som klarar 200V+? Blir det inte samma spänningsfall genom en mosfet även om Vds max skulle vara, säg, 60V?

Nej, ibland känner man bara för att kasta pennan och köpa byggsatser istället...

Jag säger bara en sak, LTSpice